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下载规格书 Photodigm DBR 激光二极管结构与同类 DFB 设计的对比
Photodigm 系列高功率边缘发射分布式布拉格反射器 (DBR) 激光二极管基于 Photodigm 专有的单一外延生长 DBR 激光结构。
全部产品分类
940纳米VCSEL芯片V00063 - 高功率概述
V00063是一款采用GaAs VCSEL芯片技术的半导体激光器，主要波长为940nm，提供高达4W的脉冲光输出。
940纳米VCSEL芯片V00063 - 高功率参数
- 操作/焊接温度 / Operation/Solder Temperature : -40°C to 110°C
- 储存温度 / Storage Temperature : -40°C to 110°C
- 正向电流(脉冲操作) / Forward Current (Pulsed Operation) : max. 16A
- 正向电流(直流操作) / Forward Current (Direct Current Operation) : max. 6A
- 反向电压 / Reverse Voltage : Not designed for reverse operation
- 静电放电耐受电压 / ESD Withstand Voltage : max. 2kV
- 正向电压 / Forward Voltage : typ. 2.1V
- 输出功率 / Output Power : typ. 4.3W
- 阈值电流 / Threshold Current : typ. 0.7A
- 斜率效率 / Slope Efficiency : typ. 1.0W/A
- 电源转换效率 / Power Conversion Efficiency : typ. 41%
- 峰值波长 / Peak Wavelength : 930nm to 950nm
- 光谱带宽(FWHM) / Spectral Bandwidth (FWHM) : typ. 2nm
- 波长温度系数 / Temperature Coefficient Of Wavelength : typ. 0.066nm/K
- 视场角(FWHC) / Field Of View (FWHC) : typ. 20°
940纳米VCSEL芯片V00063 - 高功率应用
1.可能应用于高度集中的可见光和非可见光发射设备，2.根据IEC 60825-1的安全预防措施，可集成于各种光电产品。
940纳米VCSEL芯片V00063 - 高功率特征
1.采用GaAs VCSEL芯片技术,2.940nm激光波长,3.4W脉冲输出功率,4.多模辐射剖面,5.符合ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Class 2)的2kV ESD防护
940纳米VCSEL芯片V00063 - 高功率图片集
940纳米VCSEL芯片V00063 - 高功率规格书
940纳米VCSEL芯片V00063 - 高功率厂家介绍
Vixar是欧司朗（AMS Osram）的子公司，凭借多样化的VCSEL产品组合成为市场做的较好的。Vixar制造用于传感器和设备应用的VCSEL芯片、SMD封装和光学模块。Vixar为欧司朗带来了一支经验丰富的团队，他们在半导体激光器设计、可靠性和封装方面拥有专业知识。 我们开发标准产品和定制解决方案，以支持生物医学、工业、汽车和消费行业的新兴技术。这些客户将受益于降低的功耗、相干性、特定波长或光谱宽度、窄光束或小光斑尺寸或多光束激光芯片。 Vixar已经建立了一个制造基础设施和供应链，提供大批量生产。Vixar将较好的设计专业知识与较有能力的制造合作伙伴相结合。在标准流程中利用多个合作伙伴的国内和离岸能力，并根据快速增长的市场需求灵活地定制和扩展产品。
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图片名称分类制造商参数描述
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单模光纤耦合激光二极管。
- LDX-3510-1290半导体激光器RPMC Lasers Inc.
波长: 1290 nm
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来自Teledyne FLIR的CWV-HP-TO-400-860是波长为860 nm、输出功率为400 MW、工作电压为2.2 V、工作电流为550 mA的激光二极管。有关CWV-HP-TO-400-860的更多详细信息，请参阅下文。
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