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940纳米VCSEL芯片V00081 - 高功率 半导体激光器

940纳米VCSEL芯片V00081 - 高功率

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美国
厂家:Vixar Inc.

更新时间:2024-04-19 14:40:59

型号:

940纳米VCSEL芯片V00081 - 高功率概述

该产品为GaAs VCSEL芯片技术,采用940nm波长,具备3W脉冲光功率,多模辐射特性,以及2kV的ESD耐受能力。

940纳米VCSEL芯片V00081 - 高功率参数

  • 操作/焊接温度 / Operation/Solder Temperature : -40°C - 110°C
  • 储存温度 / Storage Temperature : -40°C - 110°C
  • 正向电流(脉冲操作) / Forward Current (Pulsed Operation) : 5 A
  • 正向电流(直流操作) / Forward Current (DC Operation) : 10 A
  • 反向电压 / Reverse Voltage : Not designed for reverse operation
  • ESD耐受电压 / ESD Withstand Voltage : 2 kV
  • 正向电压 / Forward Voltage : 2.3 V
  • 输出功率 / Output Power : 3.6 W
  • 阈值电流 / Threshold Current : 0.5 A
  • 斜率效率 / Slope Efficiency : 1.0 W/A
  • 功率转换效率 / Power Conversion Efficiency : 40%
  • 峰值波长 / Peak Wavelength : 930nm - 950nm
  • 光谱带宽(FWHC) / Spectral Bandwidth At FWHC : 2 nm
  • 波长温度系数 / Temperature Coefficient Of Wavelength : 0.066 nm/K
  • 视场角(FWHC) / Field Of View At FWHC : 18°

940纳米VCSEL芯片V00081 - 高功率应用

1.根据IEC 60825-1安全预防措施使用,2.适用于需要高浓度可见光和非可见光的设备。

940纳米VCSEL芯片V00081 - 高功率特征

1.采用GaAs VCSEL芯片技术,2.940nm激光波长,3.3W脉冲光功率,4.多模辐射特性,5.符合IEC 60825-1第三版2014年5月及21 CFR 1040.10和1040-10.11标准(除特定偏离)。

940纳米VCSEL芯片V00081 - 高功率图片集

940纳米VCSEL芯片V00081 - 高功率图1
940纳米VCSEL芯片V00081 - 高功率图2
940纳米VCSEL芯片V00081 - 高功率图3
940纳米VCSEL芯片V00081 - 高功率图4
940纳米VCSEL芯片V00081 - 高功率图5
940纳米VCSEL芯片V00081 - 高功率图6
940纳米VCSEL芯片V00081 - 高功率图7

940纳米VCSEL芯片V00081 - 高功率规格书

940纳米VCSEL芯片V00081 - 高功率厂家介绍

Vixar是欧司朗(AMS Osram)的子公司,凭借多样化的VCSEL产品组合成为市场做的较好的。Vixar制造用于传感器和设备应用的VCSEL芯片、SMD封装和光学模块。Vixar为欧司朗带来了一支经验丰富的团队,他们在半导体激光器设计、可靠性和封装方面拥有专业知识。 我们开发标准产品和定制解决方案,以支持生物医学、工业、汽车和消费行业的新兴技术。这些客户将受益于降低的功耗、相干性、特定波长或光谱宽度、窄光束或小光斑尺寸或多光束激光芯片。 Vixar已经建立了一个制造基础设施和供应链,提供大批量生产。Vixar将较好的设计专业知识与较有能力的制造合作伙伴相结合。在标准流程中利用多个合作伙伴的国内和离岸能力,并根据快速增长的市场需求灵活地定制和扩展产品。

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