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下载规格书 用于光通信和长距离激光雷达的具有极低多余噪声的新型光电二极管
光脉冲以闪光的形式出现，用于在高速光纤中传输信息，并越来越多地用于光探测和测距（LIDAR）的3维成像。
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850纳米VCSEL芯片V00151 - 高功率概述
V00151是一款采用GaAs VCSEL技术的850纳米芯片，具有0.5瓦的脉冲输出功率，多模辐射特性，并且具备2kV的ESD耐受能力。
850纳米VCSEL芯片V00151 - 高功率参数
- 波长 / Wavelength : 850 nm
- 光功率 / Optical Power : 0.5 W
- 操作/焊接温度 / Operation/Solder Temperature : -40°C - 100°C
- 储存温度 / Storage Temperature : -40°C - 100°C
- 正向电流 / Forward Current : max. 2.2A
- 脉冲操作正向电流 / Pulsed Operation Forward Current : max. 0.8A
- 反向电压 / Reverse Voltage : Not designed for reverse operation
- 静电放电耐受电压 / ESD Withstand Voltage : max. 2kV
- 正向电压 / Forward Voltage : typ. 2.1V
- 输出功率 / Output Power : typ. 0.5W
- 阈值电流 / Threshold Current : typ. 0.125A
- 斜率效率 / Slope Efficiency : typ. 1.1W/A
- 电源转换效率 / Power Conversion Efficiency : typ. 40%
- 峰值波长 / Peak Wavelength : 840nm - 860nm
- 光谱带宽FWHM / Spectral Bandwidth At FWHM : typ. 2nm
- 波长温度系数 / Temperature Coefficient Of Wavelength : typ. 0.059nm/K
- 视场角(FWHM) / Field Of View At FWHM : typ. 17°
850纳米VCSEL芯片V00151 - 高功率应用
1.高度集中的可见光和非可见光的发射，适用于IEC 60825-1规定的安全预防措施的产品；2.适用于需要避免暴露于含有侵蚀性物质环境的设备。
850纳米VCSEL芯片V00151 - 高功率特征
1.采用GaAs VCSEL技术；2.激光波长850纳米；3.0.5瓦脉冲输出功率；4.多模辐射特性；5.2kV的ESD耐受能力。
850纳米VCSEL芯片V00151 - 高功率图片集
850纳米VCSEL芯片V00151 - 高功率规格书
850纳米VCSEL芯片V00151 - 高功率厂家介绍
Vixar是欧司朗（AMS Osram）的子公司，凭借多样化的VCSEL产品组合成为市场做的较好的。Vixar制造用于传感器和设备应用的VCSEL芯片、SMD封装和光学模块。Vixar为欧司朗带来了一支经验丰富的团队，他们在半导体激光器设计、可靠性和封装方面拥有专业知识。 我们开发标准产品和定制解决方案，以支持生物医学、工业、汽车和消费行业的新兴技术。这些客户将受益于降低的功耗、相干性、特定波长或光谱宽度、窄光束或小光斑尺寸或多光束激光芯片。 Vixar已经建立了一个制造基础设施和供应链，提供大批量生产。Vixar将较好的设计专业知识与较有能力的制造合作伙伴相结合。在标准流程中利用多个合作伙伴的国内和离岸能力，并根据快速增长的市场需求灵活地定制和扩展产品。
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图片名称分类制造商参数描述
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