WSLP-650-100m-9同轴封装的单模光纤耦合激光二极管

近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片多达4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

波长: 675 to 695 nm输出功率: 0.055 W

Ushio Inc.生产的HL6750MG是一款激光二极管，波长为675至695 nm，输出功率为0.055 W，工作电压为2.3至3 V，阈值电流为30至60 mA，输出功率（CW）为0.055 W.HL6750MG的更多详细信息可参见下文。

波长: 905 nm输出功率: 75 W

Intense Limited的Intense Series 2675是一款激光二极管，波长为905 nm，输出功率为75 W，工作电流为30 A，阈值电流为750 mA，输出功率（CW）为75 W.有关Intense Series 2675的更多详细信息，请参见下文。

波长: 808 nm输出功率: 5 to 10 W

来自Brolis Semiconductors的8xx nm激光二极管是一款波长为808 nm、输出功率为5至10 W、工作电压为2.5 V、输出功率（CW）为5至10 W的激光二极管。8xx nm激光二极管的更多详情见下文。

波长: 890 to 915 nm输出功率: 0.01 to 0.012 W

VPSL-0905-010-X-5-A/B/E是Blue Sky Research公司生产的激光二极管，波长为890~915 nm，输出功率为0.01~0.012 W，工作电压为1.6~2.5 V，工作电流为40~60 mA，阈值电流为15~25 mA.有关VPSL-0905-010-X-5-A/B/E的更多详细信息，请参见下文。