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下载规格书 在斯特拉斯克莱德大学领导的研究中，能够反射或操纵光线的激光驱动的 "镜子 "已经产生。
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VLM-650-03 CPA经济型激光器概述
VLM-635/650-03系列经济型激光器
VLM-650-03 CPA经济型激光器参数
- 中心波长 / Center Wavelength: : 0.65um
- 输出功率 / Output Power: : 2.5mW
VLM-650-03 CPA经济型激光器规格书
VLM-650-03 CPA经济型激光器厂家介绍
夸顿公司成立于1989年，是高质量激光二极管和专业激光应用产品的主要生产商。在过去的23年里，Quarton已证明自己是激光解决方案的创新和领先供应商。
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图片名称分类制造商参数描述
- FDL-870-1.5W-TAL Tapered Amplifier for External Cavity Setups半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 1500mW
GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达1500mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。
- LASER DIODE FIDL-10S-960X半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 10mW
FIDL-10S-960X是960nm InGaAs/GaAs MOW结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-10S-960X光源是一个连续单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。
- PGEW1S09H 905 nm Pulsed Semiconductor Laser半导体激光器Excelitas Technologies
Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成，这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如，QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm，具有四个外延生长的激射层，输出峰值功率接近100 W。T1¾（类TO）塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器，非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片，在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度，并提供单（PGEW）、双（DPGEW）、三（TPGEW）或四（QPGEW）外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角，在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下，外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中，从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。
- C-128半导体激光器SemiNex Corporation
波长: 1450 nm输出功率: 5.0 W
C-128是Seminex公司生产的波长为1450nm，输出功率为5.0W，工作电压为1.7V，工作电流为14A，阈值电流为450mA的激光二极管。C-128的更多细节可以在下面看到。
- HL63163DG半导体激光器Ushio Inc.
波长: 630 to 636 nm输出功率: 0.1 W
Ushio公司的HL63163DG是波长为630至636 nm的激光二极管，输出功率为0.1 W，工作电压为2.6至3 V，工作电流为0.17至0.23 A，阈值电流为70至100 mA.有关HL63163DG的更多详细信息，请参阅下文。
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