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下载规格书 单频半导体激光器研究取得进展：氮化硅微谐振器大大提高半导体激光器性能
洛桑联邦理工学院（EPFL）光子系统实验室（PHOSL）的团队开发出了一种芯片级激光源，在提高半导体激光器性能的同时，还能产生更短的波长。 这项开创性工作由Camille Brès教授和来自洛桑联邦理工学院工程学院的博士后研究员Marco Clementi领导，是光子学领域的重大进展，对电信、计量学和其他高精度应用具有重要意义。
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uh5-7g-658激光二极管模块概述
uh5-7g-658激光二极管模块参数
- 中心波长 / Center Wavelength: : 0.658um
- 输出功率 / Output Power: : 7mW
uh5-7g-658激光二极管模块图片集
uh5-7g-658激光二极管模块规格书
uh5-7g-658激光二极管模块厂家介绍
成立于1996年，专注于传感器、测量、生物医学和激光照明领域的激光应用。今天，我们是激光模块和激光传感器的领先制造商和设计商。我们的产品线包括从405 nm到1064 nm的各种功率范围的激光模块和系统。我们经验丰富、技术精湛的专业技术人员将帮助您解决较复杂的激光设计问题。
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图片名称分类制造商参数描述
- Fabry-Pérot Laser Diode-LD-10XX-YY-500-1122nm半导体激光器Innolume GmbH
输出功率: 500mW
•300/400/500mW输出功率Ex-单模光纤 •可用波长范围1090-1130nm •专有镜面涂层技术，实现高可靠性 •PM980或HI1060光纤 •单独老化和热循环筛选 •可选监控光电二极管 •符合RoHS规范
- SemiNex Multi-Mode Laser Chip 1488nm 7W半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 7000mW
Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。如有必要，我们将进一步优化InP激光器芯片的设计，以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试，以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。
- LDX-3210-885半导体激光器RPMC Lasers Inc.
波长: 885 nm
来自RPMC Lasers Inc.的LDX-3210-885是波长为885nm、输出功率为2000mW（光纤）至2500mW、输出功率为2000mW（光纤）至2500mW、工作电压为2V、工作电流为2500mA的激光二极管。有关LDX-3210-885的更多详细信息，请参阅下文。
- ML1451半导体激光器Modulight, Inc.
波长: 1420 to 1470 nm输出功率: 0.003 W
来自Modulight，Inc.的ML1451是波长为1420至1470nm、输出功率为0.003W、工作电压为1.1至1.6V、工作电流为29至60mA、阈值电流为12至18mA的激光二极管。有关ML1451的更多详细信息，请参阅下文。
- NX6309GH半导体激光器CEL
波长: 1290 to 1330 nm输出功率: 0 to 0.01 W
来自CEL的NX6309GH是波长为1290至1330 nm的激光二极管，输出功率为10 MW，输出功率为0至0.01 W，工作电压为1.1至1.6 V，阈值电流为10至45 mA.有关NX6309GH的更多详细信息，请参阅下文。
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激光吸收光谱法是测定样品中气体组分浓度的一种重要方法。现代设备是高度专业化的，用于检测非常特殊的气体，如大气中的微量气体，燃烧废气和等离子体的技术应用。
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