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下载规格书 《Opto-Electronic Science》发表了一篇新文章，回顾了光学纳米粒子的基本原理和应用。光学纳米粒子是光子学的关键要素之一。它们不仅能对大量系统（从细胞到微电子学）进行光学成像，还能充当高灵敏度的远程传感器。
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Seminex多模式激光芯片1475nm 3.7W概述
Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时，我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计，以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试，以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。
Seminex多模式激光芯片1475nm 3.7W参数
- 中心波长 / Center Wavelength: : 1.475um
- 输出功率 / Output Power: : 3700mW
Seminex多模式激光芯片1475nm 3.7W规格书
Seminex多模式激光芯片1475nm 3.7W厂家介绍
法兰克福激光公司（FLC）由Vsevolod Mazo博士于1994年创立，25年来一直是半导体激光器的较好公司之一。几乎没有一种激光产品在这里找不到。该公司提供从紫外、可见光范围到红外和远红外的激光源、激光二极管、超发光二极管、激光模块、激光系统、DPSS激光器或中红外LED，包括单模和多模、自由空间光束和光纤耦合。
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图片名称分类制造商参数描述
- 3~5W UV Laser Coral UV-03半导体激光器Bellin Laser
3~5W紫外激光器。
- LDX-2710-690: 690nm Multimode Laser Diode半导体激光器RPMC Lasers Inc.
输出功率: 750mW
该685nm二极管激光器从自由空间封装中的100um发射器产生800mW，或者从光纤耦合封装中的光纤产生600mW。它具有低阈值电流和高斜率效率，这导致了增强可靠性的低工作电流。
- TPGAx2S03H Pulsed Laser Diodes半导体激光器Excelitas Technologies
近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片较多有4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。
- QLD-730-50S半导体激光器QPhotonics
波长: 701 nm输出功率: 0 to 0.05 W
来自Qphotonics的QLD-730-50S是波长为701nm的激光二极管，输出功率为0至0.05W，工作电压为2.52V，工作电流为0.088至0.097A，阈值电流为32mA.有关QLD-730-50S的更多详细信息，请参阅下文。
- I1053SB0300PA半导体激光器Innovative Photonic Solutions
波长: 1053 nm输出功率: 0.3 W
Innovative Photonic Solutions的i1053SB0300PA是一款激光二极管，波长为1053 nm，输出功率为0.3 W，工作电压为2.2 V，工作电流为0.75 A，输出功率（CW）为0.3 W.有关i1053SB0300PA的更多详细信息，请参见下文。
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在斯特拉斯克莱德大学领导的研究中，能够反射或操纵光线的激光驱动的 "镜子 "已经产生。
当光穿过一种材料时，它的行为往往是不可预测的。这种现象是一个叫做“非线性光学”的整个研究领域的主题，现在从激光开发和光学频率计量到引力波天文学和量子信息科学，非线性光学已经成为技术和科学进步的一部分。