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SemiNex高功率多模激光二极管B-Mount 1532nm 4.2W概述
Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时，我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计，以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试，以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。
SemiNex高功率多模激光二极管B-Mount 1532nm 4.2W参数
- 中心波长 / Center Wavelength: : 1.532um
- 输出功率 / Output Power: : 4200mW
SemiNex高功率多模激光二极管B-Mount 1532nm 4.2W规格书
SemiNex高功率多模激光二极管B-Mount 1532nm 4.2W厂家介绍
法兰克福激光公司（FLC）由Vsevolod Mazo博士于1994年创立，25年来一直是半导体激光器的较好公司之一。几乎没有一种激光产品在这里找不到。该公司提供从紫外、可见光范围到红外和远红外的激光源、激光二极管、超发光二极管、激光模块、激光系统、DPSS激光器或中红外LED，包括单模和多模、自由空间光束和光纤耦合。
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图片名称分类制造商参数描述
- ARR291P1800 H Package Laser Diode Array半导体激光器Cutting Edge Optronics
输出功率: 1800000mW
H PackageLaser DiodeArray专为直接二极管应用（如脱毛和塑料焊接）而设计。该封装采用二维配置，脉冲持续时间为0.5ms至300ms，每巴功率高达150瓦。标准封装提供8巴、10巴和12巴垂直堆叠（可根据要求提供定制选项）。小而紧凑的设计由非去离子标准过滤水冷却，使安装和维护更具成本和时间效率。该封装采用AuSn焊料和膨胀匹配材料组装，以实现更坚固的组装，从而提高可靠性。
- TO9-132半导体激光器SemiNex Corporation
波长: 1525 nm输出功率: 1.7 W
TO9-132是Seminex公司生产的波长为1525nm，输出功率为1.7W，工作电压为1.4V，工作电流为7A，阈值电流为500mA的半导体激光器。有关TO9-132的更多详细信息，请参阅下文。
- 4.53 µm HHL Pkg半导体激光器Adtech Optics
波长: 4530 nm输出功率: 0.61 W
Adtech Optics的4.53µm HHL PKG是一款激光二极管，波长为4530 nm，输出功率为0.61 W，工作电压为14.8 V，工作电流为1.20 A，阈值电流为610 mA.有关4.53µm HHL PKG的更多详细信息，请参见下文。
- NLD52100SG半导体激光器Roithner Lasertechnik
波长: 510 to 530 nm输出功率: 0.1 W
Roithner Lasertechnik的NLD52100SG是波长为510至530 nm、输出功率为0.1 W、工作电压为6 V、工作电流为0至0.35 A、阈值电流为170 mA的激光二极管。有关NLD52100SG的更多详细信息，请参阅下文。
- LD-808-2A-40-B-2半导体激光器OPELUS Technology Corporation
波长: 805 to 812 nm输出功率: 0.22 W
Opelus Technology Corporation的LD-808-2A-40-B-2是波长为805至812 nm的激光二极管，输出功率为0.22 W，工作电压为1.9至2.3 V，工作电流为250至280 mA，阈值电流为70至80 mA.有关LD-808-2A-40-B-2的更多详细信息，请参见下文。
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