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下载规格书 单频半导体激光器研究取得进展：氮化硅微谐振器大大提高半导体激光器性能
洛桑联邦理工学院（EPFL）光子系统实验室（PHOSL）的团队开发出了一种芯片级激光源，在提高半导体激光器性能的同时，还能产生更短的波长。 这项开创性工作由Camille Brès教授和来自洛桑联邦理工学院工程学院的博士后研究员Marco Clementi领导，是光子学领域的重大进展，对电信、计量学和其他高精度应用具有重要意义。
全部产品分类
概述
Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时，我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计，以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试，以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。
参数
- 激光类型 / Laser Type: : Continuous Wave (CW)
- 纤维类型 / Fiber Type: : Multi-Mode
- 波长 / Wavelength: : 1475nm
- 输出功率 / Output Power: : 20000mW
规格书
厂家介绍
法兰克福激光公司（FLC）由Vsevolod Mazo博士于1994年创立，25年来一直是半导体激光器的较好公司之一。几乎没有一种激光产品在这里找不到。该公司提供从紫外、可见光范围到红外和远红外的激光源、激光二极管、超发光二极管、激光模块、激光系统、DPSS激光器或中红外LED，包括单模和多模、自由空间光束和光纤耦合。
相关产品
图片名称分类制造商参数描述
- HL65051DG AlGaInP Laser Diode半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 130mW
HL65051DG AlGaInP半导体激光器。
- RLD78MZM7半导体激光器ROHM Semiconductor
波长: 775 to 800 nm输出功率: 0 to 0.02 W
来自Rohm Semiconductor的RLD78MZM7是波长为775至800nm、输出功率为0至0.02W、工作电压为1.7至2.2V、工作电流为0.007至0.02A、阈值电流为7至20mA的激光二极管。有关RLD78MZM7的更多详细信息，请参阅下文。
- DFB-1714-003半导体激光器Sacher Lasertechnik
波长: 1714 nm输出功率: 0.003 W
Sacher Lasertechnik的DFB-1714-003是一款激光二极管，波长为1714 nm，输出功率为0.003 W，工作电流为65至120 mA，阈值电流为15至45 mA，输出功率（CW）为0.003 W.有关DFB-1714-003的更多详细信息，请参见下文。
- LDM-0808-300m-31半导体激光器Roithner Lasertechnik
波长: 808 nm输出功率: 0.3 W
Roithner Lasertechnik的LDM-0808-300M-31是波长为808 nm、输出功率为0.3 W、工作电压为2 V、工作电流为0~0.4 A、阈值电流为100 mA的激光二极管。有关LDM-0808-300M-31的更多详细信息，请参阅下文。
- LD-0764-0050-DFB-1半导体激光器TOPTICA Photonics
波长: 764.2 nm输出功率: 0.05 W
Toptica Photonics的LD-0764-0050-DFB-1是一款激光二极管，波长为764.2 nm，输出功率为0.05 W，输出功率（CW）为0.05 W.有关LD-0764-0050-DFB-1的更多详细信息，请参见下文。
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