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下载规格书 在《Light: Advanced Manufacturing》上发表的一篇新论文中，由余绍良博士和杜青阳博士领导的科学家团队开发出了新的封装技术。双光子光刻（TPL）是一种基于激光的技术，可用于创建分辨率极高的三维结构，它最近成为光子封装的一个前景广阔的解决方案，光子封装是将光子元件组装和连接成一个单一系统的过程。
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Seminex光纤耦合高功率红外多模激光器1570nm 17W概述
Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时，我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计，以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试，以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。
Seminex光纤耦合高功率红外多模激光器1570nm 17W参数
- 激光类型 / Laser Type: : Continuous Wave (CW)
- 纤维类型 / Fiber Type: : Multi-Mode
- 波长 / Wavelength: : 1570nm
- 输出功率 / Output Power: : 17000mW
Seminex光纤耦合高功率红外多模激光器1570nm 17W规格书
Seminex光纤耦合高功率红外多模激光器1570nm 17W厂家介绍
法兰克福激光公司（FLC）由Vsevolod Mazo博士于1994年创立，25年来一直是半导体激光器的较好公司之一。几乎没有一种激光产品在这里找不到。该公司提供从紫外、可见光范围到红外和远红外的激光源、激光二极管、超发光二极管、激光模块、激光系统、DPSS激光器或中红外LED，包括单模和多模、自由空间光束和光纤耦合。
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图片名称分类制造商参数描述
- FDL-765-1W-TAL Tapered Amplifier for External Cavity Setups半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 1000mW
GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达1000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。
- BAR-109半导体激光器SemiNex Corporation
波长: 1532 nm输出功率: 20 W
Seminex公司的BAR-109是波长为1532nm，输出功率为20W，工作电压为1.3V，工作电流为65A，阈值电流为10000mA的激光二极管。下面可以看到BAR-109的更多详细信息。
- TO9-105半导体激光器SemiNex Corporation
波长: 1565 nm输出功率: 0.36 W
TO9-105是美国Seminex公司生产的波长为1565 nm的半导体激光器，输出功率为0.36 W，工作电压为2.5 V，工作电流为1.2 A，阈值电流为50 mA.有关TO9-105的更多详细信息，请参阅下文。
- LD-635-21B半导体激光器MKS | Newport
波长: 635 nm输出功率: 0.0012 W
MKS|Newport的LD-635-21B是一款激光二极管，波长635 nm，输出功率0.0012 W，工作电流0.045 A，阈值电流50 mA，输出功率（CW）0.0012 W.有关LD-635-21B的更多详细信息，请参见下文。
- CS01/CS04-40-808半导体激光器Apollo Instruments, Inc.
波长: 808 nm输出功率: 40 W
Apollo公司的CS01/CS04-40-808是波长为808nm，输出功率为40W，工作电压为2V，工作电流为48A，阈值电流为10000mA的激光二极管。有关CS01/CS04-40-808的更多详细信息，请参阅下文。
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