收藏 
下载规格书 在《Light: Advanced Manufacturing》上发表的一篇新论文中，由余绍良博士和杜青阳博士领导的科学家团队开发出了新的封装技术。双光子光刻（TPL）是一种基于激光的技术，可用于创建分辨率极高的三维结构，它最近成为光子封装的一个前景广阔的解决方案，光子封装是将光子元件组装和连接成一个单一系统的过程。
全部产品分类
Seminex光纤耦合高功率红外多模激光器1570nm 17.5W概述
Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时，我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计，以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试，以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。
Seminex光纤耦合高功率红外多模激光器1570nm 17.5W参数
- 激光类型 / Laser Type: : Continuous Wave (CW)
- 纤维类型 / Fiber Type: : Multi-Mode
- 波长 / Wavelength: : 1570nm
- 输出功率 / Output Power: : 17500mW
Seminex光纤耦合高功率红外多模激光器1570nm 17.5W规格书
Seminex光纤耦合高功率红外多模激光器1570nm 17.5W厂家介绍
法兰克福激光公司（FLC）由Vsevolod Mazo博士于1994年创立，25年来一直是半导体激光器的较好公司之一。几乎没有一种激光产品在这里找不到。该公司提供从紫外、可见光范围到红外和远红外的激光源、激光二极管、超发光二极管、激光模块、激光系统、DPSS激光器或中红外LED，包括单模和多模、自由空间光束和光纤耦合。
相关内容
相关产品
图片名称分类制造商参数描述
- EYP-RWS-0785-00080-1500-TOS52-0000半导体激光器TOPTICA eagleyard
波长: 785 nm输出功率: 0.02 to 0.08 W
Toptica Eagleyard的EYP-RWS-0785-00080-1500-TOS52-0000是一款激光二极管，波长为785 nm，输出功率为0.02至0.08 W，阈值电流为70 mA，输出功率（连续波）为0.02至0.08 W，工作温度为15至40摄氏度。EYP-RWS-0785-00080-1500-TOS52-0000的更多详情见下文。
- LDX-3110-1550半导体激光器RPMC Lasers Inc.
波长: 1550 nm
来自RPMC Lasers Inc.的LDX-3110-1550是波长为1550nm、输出功率为1200mW（光纤）至1500mW、输出功率为1200mW（光纤）至1500mW、工作电压为1.1V、工作电流为3700mA的激光二极管。有关LDX-3110-1550的更多详细信息，请参阅下文。
- LDX-3515-980半导体激光器RPMC Lasers Inc.
波长: 980 nm
来自RPMC Lasers Inc.的LDX-3515-980是波长为980 nm、输出功率为4000 MW（光纤）至5000 MW、输出功率为4000 MW（光纤）至5000 MW、工作电压为1.7 V、工作电流为5000 mA的激光二极管。有关LDX-3515-980的更多详细信息，请参阅下文。
- M28-xxxx-120半导体激光器Lumentum Operations LLC
波长: 980 nm输出功率: Up to 0.7 W
Lumentum Operations LLC的M28-XXXX-120是一款激光二极管，波长为980 nm，输出功率高达0.7 W，工作电压为1.64 V，工作电流为320 mA，阈值电流为125 mA.有关M28-XXXX-120的更多详细信息，请参阅下文。
- FB-M1060-2000HO半导体激光器Fibercom Ltd.
波长: 1060 nm输出功率: 2000 mW
Fibercom Ltd.的FB-M1060-2000HO是波长为1060nm的激光二极管，输出功率为2000mW，工作电压为1.5至3.8V，工作电流为3000mA.有关FB-M1060-2000HO的更多详细信息，请参阅下文。
相关文章
当光穿过一种材料时，它的行为往往是不可预测的。这种现象是一个叫做“非线性光学”的整个研究领域的主题，现在从激光开发和光学频率计量到引力波天文学和量子信息科学，非线性光学已经成为技术和科学进步的一部分。
KAUST的科学家们展示了一种改变紧凑型半导体激光器的简单方法，使其在照明和全息摄影方面更加实用。这项研究发表在《Optica》杂志上。
单频半导体激光器研究取得进展：氮化硅微谐振器大大提高半导体激光器性能
洛桑联邦理工学院（EPFL）光子系统实验室（PHOSL）的团队开发出了一种芯片级激光源，在提高半导体激光器性能的同时，还能产生更短的波长。 这项开创性工作由Camille Brès教授和来自洛桑联邦理工学院工程学院的博士后研究员Marco Clementi领导，是光子学领域的重大进展，对电信、计量学和其他高精度应用具有重要意义。