半导体激光器是通过半导体中电荷载流子对的辐射再结合产生的。与传统的激光系统相比,它们的效率更高,成本更低,所需的功率也更小,因此成为制造业、医药和能源领域的热门选择。
Seminex光纤耦合高功率红外多模激光器1480nm 43W N136概述
Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时,我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计,以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试,以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。
Seminex光纤耦合高功率红外多模激光器1480nm 43W N136参数
- 激光类型 / Laser Type: : Continuous Wave (CW)
- 纤维类型 / Fiber Type: : Multi-Mode
- 波长 / Wavelength: : 1480nm
- 输出功率 / Output Power: : 43000mW
Seminex光纤耦合高功率红外多模激光器1480nm 43W N136规格书
Seminex光纤耦合高功率红外多模激光器1480nm 43W N136厂家介绍
相关内容
相关产品
- QDFBLD-1550-10半导体激光器QPhotonics
波长: 1547.6 nm输出功率: 0 to 0.01 W
来自Qphotonics的QDFBLD-1550-10是波长为1547.6nm的激光二极管,输出功率为0至0.01W,工作电压为1.26V,工作电流为0.086至0.086A,阈值电流为19mA.有关QDFBLD-1550-10的更多详细信息,请参阅下文。
- QFBGLD-1060-150半导体激光器QPhotonics
波长: 1063.9 nm输出功率: 0 to 0.15 W
Qphotonics公司的QFBGLD-1060-150是波长为1063.9nm的激光二极管,输出功率为0~0.15W,工作电压为1.58V,工作电流为0.295~0.295A,阈值电流为42mA.有关QFBGLD-1060-150的更多详细信息,请参阅下文。
- QFBGLD-940-200半导体激光器QPhotonics
波长: 939.7 nm输出功率: 0 to 0.1981 W
Qphotonics公司的QFBGLD-940-200是一种波长为939.7nm的激光二极管,输出功率为0~0.1981W,工作电压为1.99V,工作电流为0.415~0.457A,阈值电流为30mA.有关QFBGLD-940-200的更多详细信息,请参阅下文。
- LD-11XX-YY-300半导体激光器Innolume
波长: 1113 nm输出功率: 0.3 W
来自Innolume的LD-11xx-YY-300是一款激光二极管,波长为1113 nm,输出功率为0.3 W,工作电流为0.6至0.8 A,阈值电流为90至140 mA,输出功率(连续波)为0.3 W.有关LD-11xx-YY-300的更多详细信息,请参见下文。
- LD-808-1W3N半导体激光器Lasermate Group
波长: 808 nm输出功率: 1000 mW
Lasermate Group的LD-808-1W3N是一款激光二极管,波长为808 nm,输出功率为1000 MW,工作电压为2 V,工作电流为1.24 A.有关LD-808-1W3N的更多详细信息,请参见下文。
相关文章
紧凑型光子芯片的精确热控制:玻璃基板集成微热电冷却器(SimTEC)
光子学提供了各种优势,包括通过利用光特性在光学数据通信、生物医学应用、汽车技术和人工智能领域实现高速低损耗通信。这些优势是通过复杂的光子电路实现的,包括集成在光子芯片上的各种光子元件。
由于成熟的硅工艺技术、大尺寸硅片和硅的光学特性,硅(Si)光子学最近已成为许多应用领域的关键使能技术。然而,由于硅基材料无法有效发光,因此需要使用其他半导体作为光源。
探索基于波导的增强现实显示器的进展