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下载规格书 光功率测量基础知识（Optical Power Measurement）
当光子击中光电二极管材料时，可能会产生电子-空穴对，这取决于器件的量子效率。
全部产品分类
概述
Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时，我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计，以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试，以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。
参数
- 中心波长 / Center Wavelength: : 1.480um
- 输出功率 / Output Power: : 1800mW
规格书
厂家介绍
法兰克福激光公司（FLC）由Vsevolod Mazo博士于1994年创立，25年来一直是半导体激光器的较好公司之一。几乎没有一种激光产品在这里找不到。该公司提供从紫外、可见光范围到红外和远红外的激光源、激光二极管、超发光二极管、激光模块、激光系统、DPSS激光器或中红外LED，包括单模和多模、自由空间光束和光纤耦合。
相关产品
图片名称分类制造商参数描述
- F6 1000W Fiber-Coupled Laser半导体激光器Selex Galileo Inc.
波长: 930nm输出功率: 1000000mW
输出功率为1000W，光纤尺寸为1000μm。流体冷却。
- LASER DIODE FIDL-30S-770C半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 30mW
FIDL-30S-770C是770nm AlGaAs/GaAs单量子MOCVD半导体激光器制备势阱结构迪奥迪。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，提高可靠性。FIDL-30S-770C是CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管，输出功率稳定。精确的波长选择允许在各种光电系统中使用激光二极管检测设备。
- LASER DIODE FNLD-50S-1030D半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 50mW
FNLD-50S-1030D是用MOCVD半导体激光器制作的1030nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FNLD-50S-1030D是连续单横模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。
- IPFPC1302半导体激光器InPhenix
波长: 1290 to 1330 nm输出功率: 0.009 W
Inphenix的iPFPC1302是一款激光二极管，波长为1290至1330 nm，输出功率为9 MW，输出功率为0.009 W，工作电压为1.1至1.6 V，工作电流为0.045 A.
- RLT1600-30G半导体激光器Roithner Lasertechnik
波长: 1580 to 1620 nm输出功率: 0.03 W
Roithner Lasertechnik公司的RLT1600-30G是一种激光二极管，波长为1580至1620 nm，输出功率为0.03 W，工作电压为2 V，工作电流为0至0.18 A，阈值电流为45 mA.有关RLT1600-30G的更多详细信息，请参阅下文。
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