KAUST的科学家们展示了一种改变紧凑型半导体激光器的简单方法,使其在照明和全息摄影方面更加实用。这项研究发表在《Optica》杂志上。
SemiNex 4-Pin激光模块概述
采用光纤耦合封装的Seminex多模高功率激光器单根光纤的连续波功率为3.8瓦标准波长:1270、1320、1375、1460、1480、1550和1565nmSMA 905连接器光电二极管或热敏电阻
SemiNex 4-Pin激光模块参数
- 激光类型 / Laser Type: : Continuous Wave (CW)
- 纤维类型 / Fiber Type: : Multi-Mode
- 波长 / Wavelength: : 1460nm
- 输出功率 / Output Power: : 4.0mW
- 纤维芯直径 / Fiber Core Diamater: : 105um
- 光纤包层直径 / Fiber Cladding Diameter: : 125um
SemiNex 4-Pin激光模块图片集
SemiNex 4-Pin激光模块规格书
SemiNex 4-Pin激光模块厂家介绍
相关内容
相关产品
- QLD-730-50S半导体激光器QPhotonics
波长: 701 nm输出功率: 0 to 0.05 W
来自Qphotonics的QLD-730-50S是波长为701nm的激光二极管,输出功率为0至0.05W,工作电压为2.52V,工作电流为0.088至0.097A,阈值电流为32mA.有关QLD-730-50S的更多详细信息,请参阅下文。
- V980-10GXA-1TGA半导体激光器Inneos
波长: 965 to 990 nm输出功率: 1 to 1.6 mW
Inneos的V980-10GXA-1TGA是一款垂直腔面发射激光二极管,工作波长为980 nm.光输出功率为1.6 W,斜率效率为0.5-0.75 MW/mA.该单通道顶部发射VCSEL在超过7.75GHz的带宽下具有10Gbps的数据速率。它的光谱宽度为0.4nm,光束发散半角为16度。V980-10GXA-1TGA可集成到收发器或传感器中,经过设计和测试,可在恶劣环境应用中保持高性能。该激光二极管的阈值电流为2 mA,反向电压高达8 V.它需要2-3.15 V的直流电源,消耗3 mA的电流。这款VCSEL采用裸片封装,尺寸为0.25 X 0.25 mm,非常适合工业和汽车应用。
- MCM-101半导体激光器SemiNex Corporation
波长: 1465 nm输出功率: 10 W
Seminex公司的MCM-101是在1465nm波长下工作的激光器。该激光器的连续输出功率为10 W,功率转换效率为20%,斜率效率为1 W/A,光谱宽度为10 nm,阈值电流为0.7 A,瞄准光束波长为650 nm,输出功率为2 MW.该光纤耦合激光二极管需要6 V的直流电源,并消耗7.5 A的电流。MCM-101的光纤长度为1.5米,纤芯直径为350微米,数值孔径为0.22。该器件采用尺寸为123 X 80 X 25 mm的封装,并配有SMA905连接器。该激光器是OEM医疗、DPSS泵浦源自由空间通信、军事/航空航天和热处理应用的理想选择。
- TO9-124半导体激光器SemiNex Corporation
波长: 1665 nm输出功率: 0.27 W
TO9-124是Seminex公司生产的波长为1665nm的半导体激光器,输出功率为0.27W,工作电压为2.3V,工作电流为1.1A,阈值电流为50mA.有关TO9-124的更多详细信息,请参阅下文。
- AF4B114AD75L半导体激光器Anritsu Corporation
波长: 1460 to 1490 nm输出功率: 0.14 W
Anritsu Corporation的AF4B114AD75L是一款激光二极管,波长为1460至1490 nm,输出功率为0.14 W,工作电压为2.5 V,阈值电流为50 mA,输出功率(连续波)为0.14 W.有关AF4B114AD75L的更多详细信息,请参见下文。
相关文章
使用激光,研究人员可以直接控制核子的自旋,这可以编码量子信息
原则上,基于量子的设备,如计算机和传感器,在执行许多复杂任务时可以大大超过传统的数字技术。
以氮化镓为基础的led的开发和制造企业、高亮度蓝光和白光led的发明者日亚半导体(Nichia)开始了高功率红光激光二极管(LD)芯片的自主生产。这家总部位于日本的公司将从2024年春季开始销售包括新型红光LD芯片在内的激光封装产品。
初创公司Baraja为汽车应用提供制造 "随机调制连续波 "传感器所需的芯片