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下载规格书 单频半导体激光器研究取得进展：氮化硅微谐振器大大提高半导体激光器性能
洛桑联邦理工学院（EPFL）光子系统实验室（PHOSL）的团队开发出了一种芯片级激光源，在提高半导体激光器性能的同时，还能产生更短的波长。 这项开创性工作由Camille Brès教授和来自洛桑联邦理工学院工程学院的博士后研究员Marco Clementi领导，是光子学领域的重大进展，对电信、计量学和其他高精度应用具有重要意义。
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三洋405nm 20mW 紫色激光二极管概述
全新三洋405nm 20mW低功率激光二极管，日本制造，输出功率：CW 20mW工作电流：<55mA工作电压：5-5.5V包装：5.6mm工作寿命：>10000小时
三洋405nm 20mW 紫色激光二极管参数
- 中心波长 / Center Wavelength: : 0.405um
- 输出功率 / Output Power: : 20mW
三洋405nm 20mW 紫色激光二极管规格书
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图片名称分类制造商参数描述
- 1710nm, 30W, 400um fiber-coupled module半导体激光器QPC Lasers
波长: 1710nm输出功率: 30000mW
货号：6217-0003产品描述：1710nm，30W，400um光纤耦合模块，可选配瞄准光束
- LASER DIODE FIDL-20S-650D半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 20mW
FIDL-20S-650D是基于GaInAlP的650nm激光二极管MOCVD制备多量子阱结构低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-20S-650D是连续单模注入半导体激光器。它采用9mm SOT-148外壳，内置监控二极管。激光二极管适用于各种光电系统的应用。
- LDX-3210-780: 780nm Multimode Laser Diode半导体激光器RPMC Lasers Inc.
输出功率: 2500mW
该780nm二极管激光器从自由空间封装中的60um发射器产生2500mW，或者从光纤耦合封装中的光纤产生2000mW。它具有低阈值电流和高斜率效率，这导致了增强可靠性的低工作电流。
- RLT650-200G半导体激光器Roithner Lasertechnik
波长: 645 to 660 nm输出功率: 0.2 W
来自Roithner Lasertechnik的RLT650-200G是波长为645至660nm、输出功率为0.2W、工作电压为2.1至2.3V、工作电流为0.82至0.9A、阈值电流为550至600mA的激光二极管。有关RLT650-200G的更多详细信息，请参阅下文。
- QL78E6HG-Q半导体激光器Quantum Semiconductor International
波长: 775 to 800 nm输出功率: 6 mW
来自Quantum Semiconductor International的QL78E6HG-Q是一种激光二极管，波长为775至800 nm，输出功率为6 MW，工作电压为1.5至2.5 V，工作电流为27至28 mA.有关QL78E6HG-Q的更多详细信息，请参阅下文。
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