单频半导体激光器研究取得进展:氮化硅微谐振器大大提高半导体激光器性能
洛桑联邦理工学院(EPFL)光子系统实验室(PHOSL)的团队开发出了一种芯片级激光源,在提高半导体激光器性能的同时,还能产生更短的波长。 这项开创性工作由Camille Brès教授和来自洛桑联邦理工学院工程学院的博士后研究员Marco Clementi领导,是光子学领域的重大进展,对电信、计量学和其他高精度应用具有重要意义。
概述
蓝色激光二极管1.4 W,采用TO56封装。
参数
图片集
规格书
厂家介绍
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输出功率: 40mW
PH976DBR系列高功率边发射激光器基于PhotoDigm先进的单频激光技术。它提供衍射受限的单一横向和纵向模式光束。小平面经过钝化处理,以确保高功率可靠性。应用包括镱窄带泵浦、光谱学、差频产生和低功率DPSS替代。
输出功率: 670mW
•400/600/670mW输出功率Ex-单模光纤 •可用波长范围1010-1090nm •专有镜面涂层技术,实现高可靠性 •PM980或HI1060光纤 •单独老化和热循环筛选 •可选监控光电二极管 •符合RoHS规范
波长: 785 nm输出功率: 0.02 to 0.08 W
Toptica Eagleyard的EYP-RWS-0785-00080-1500-SOT02-0000是一款激光二极管,波长为785 nm,输出功率为0.02至0.08 W,阈值电流为70 mA,输出功率(连续波)为0.02至0.08 W,工作温度为15至40摄氏度。有关EYP-RWS-0785-00080-1500-SOT02-0000的更多详细信息,请参见下文。
波长: 808 nm输出功率: 200 W
Northrop Grumman公司的ARR186P400是一种激光二极管,波长为808 nm,输出功率为200 W,工作电压为4 V,工作电流为175 A,阈值电流为15000 mA.有关ARR186P400的更多详细信息,请参阅下文。
波长: 1030 nm输出功率: 0.28 W
Innovative Photonic Solutions的I1030SB0280PA是一款激光二极管,波长为1030 nm,输出功率为0.28 W,工作电压为2.2 V,工作电流为0.75 A,输出功率(CW)为0.28 W.有关I1030SB0280PA的更多详细信息,请参见下文。
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