PL 450B 欧司朗激光二极管 TO38封装

Excelitas Technologies'PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成，这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如，QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm，具有四个外延生长的激射层，输出峰值功率接近100 W。T1¾（类TO）塑料封装补充了密封金属封装中的Excelitas Epi-Cavity激光器，非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas和新型多有源区激光器芯片，在较小的发射面积内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度，并提供单（PGEW）、双（DPGEW）、三（TPGEW）或四（QPGEW）外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角，在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下，外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中，从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

Pranalytica的可调谐Monolux QCL系统。

波长: 840 to 860 nm输出功率: 250 mW

Laser Components的ADL-85Y51TL是一款850 nm AlGaAs红外激光二极管，可提供高达270 MW的输出功率。该器件采用1.9 V电源供电，功耗高达360 mA.该连续发光激光二极管的平行发散角为6~13度，垂直发散角为12~22度，微分效率为1mW/mA.它采用TO-CAN封装，非常适合传感设备、激光雷达和3D传感应用。

波长: 830 nm输出功率: 0.6 W

Innovative Photonic Solutions的I0830MB0600M是一款激光二极管，波长为830 nm，输出功率为0.6 W，工作电压为2.2 V，工作电流为1.35 A，输出功率（CW）为0.6 W.有关I0830MB0600M的更多详细信息，请参见下文。

波长: 840 to 860 nm输出功率: 0.05 W

Opelus Technology Corporation的LD-850-50-50-N-2是波长为840至860nm、输出功率为0.05W、工作电压为2至2.1V、工作电流为75至85mA、阈值电流为15至25mA的激光二极管。有关LD-850-50-50-N-2的更多详细信息，请参阅下文。