收藏 
下载规格书 单频半导体激光器研究取得进展：氮化硅微谐振器大大提高半导体激光器性能
洛桑联邦理工学院（EPFL）光子系统实验室（PHOSL）的团队开发出了一种芯片级激光源，在提高半导体激光器性能的同时，还能产生更短的波长。 这项开创性工作由Camille Brès教授和来自洛桑联邦理工学院工程学院的博士后研究员Marco Clementi领导，是光子学领域的重大进展，对电信、计量学和其他高精度应用具有重要意义。
全部产品分类
pixea-690 fp激光器概述
pixea-690 fp激光器参数
- 输出功率 / Output Power (avg): : 0.0015W
- 激光波长 / Wavelength: : 0.690um
- 脉宽 / Pulse Duration: : 0 - 0.05 ns
- 中心波长附近的调谐范围 / Tuning Range Around Center Wavelength: : Not Applicable
pixea-690 fp激光器规格书
pixea-690 fp激光器厂家介绍
Aurea Technology基于较先进的单光子雪崩光电二极管、超快激光二极管和快速定时电子设备，设计和制造新一代高性能和独立的光学仪器。作为全球技术#做的较好的#，Aurea Technology提供“世界一流”的盖革模式单光子计数、皮秒激光源、快速时间相关和光纤传感仪器。Aurea Technology直接或通过北美、欧洲和亚洲的分销渠道为其200多家全球客户提供卓越的专业支持。
相关内容
相关产品
图片名称分类制造商参数描述
- LASER DIODE FLX-1470-7000M-150半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 7000mW
FLX-1470-7000M-150是在1470nm处具有7000mW连续输出功率的多模半导体激光二极管。可用封装为厚C-Mount。它适用于各种光电应用。
- IPFPC1301半导体激光器InPhenix
波长: 1290 to 1330 nm输出功率: 0.01 W
Inphenix的iPFPC1301是一款激光二极管，波长为1290至1330 nm，输出功率为10 MW，输出功率为0.01 W，工作电压为1.1至1.6 V，工作电流为0.035 A.
- QLD1261-4005半导体激光器QD Laser
波长: 1240 nm输出功率: 10 mW
QD Laser的QLD1261-4005是一款分布反馈（DFB）激光二极管，工作峰值波长为1240 nm.它的光输出功率为10 MW，偏振消光比为20 dB.该激光二极管具有集成的光隔离器、监视器PD和热电冷却器。它需要7 mA的阈值电流，并且具有高达2 V的反向电压。该激光二极管消耗50 mA的电流。该器件采用14引脚蝶形封装，带尾纤和TEC，是传感、测试和测量应用的理想选择。
- ADL-66505TL半导体激光器Roithner Lasertechnik
波长: 650 to 670 nm输出功率: 0.05 W
Roithner Lasertechnik公司的ADL-66505TL是一款激光二极管，波长为650至670 nm，输出功率为0.05 W，工作电压为2至3 V，工作电流为0.09至0.12 A，阈值电流为45至60 mA.有关ADL-66505TL的更多详细信息，请参阅下文。
- AF4B122EA75L半导体激光器Anritsu Corporation
波长: 1460 to 1490 nm输出功率: 0.22 W
来自Anritsu Corporation的AF4B122EA75L是波长为1460至1490nm、输出功率为0.22W、工作电压为2V、阈值电流为70至150mA、输出功率（CW）为0.22W的激光二极管。关于AF4B122EA75L的更多细节可参见下文。
相关文章
激光二极管在太空应用中已使用多年。 它们的主要用途是作为固态激光器的泵浦，并为这些应用开发了鉴定方法。
用于光通信和长距离激光雷达的具有极低多余噪声的新型光电二极管
光脉冲以闪光的形式出现，用于在高速光纤中传输信息，并越来越多地用于光探测和测距（LIDAR）的3维成像。
由于成熟的硅工艺技术、大尺寸硅片和硅的光学特性，硅（Si）光子学最近已成为许多应用领域的关键使能技术。然而，由于硅基材料无法有效发光，因此需要使用其他半导体作为光源。