单频半导体激光器研究取得进展:氮化硅微谐振器大大提高半导体激光器性能
洛桑联邦理工学院(EPFL)光子系统实验室(PHOSL)的团队开发出了一种芯片级激光源,在提高半导体激光器性能的同时,还能产生更短的波长。 这项开创性工作由Camille Brès教授和来自洛桑联邦理工学院工程学院的博士后研究员Marco Clementi领导,是光子学领域的重大进展,对电信、计量学和其他高精度应用具有重要意义。
概述
参数
规格书
厂家介绍
相关产品
输出功率: 600mW
该635nm红色二极管激光器从自由空间封装中的150um发射器产生600mW,或者从光纤耦合封装中的光纤产生480mW。它具有低阈值电流和高斜率效率,这导致了增强可靠性的低工作电流。
波长: 1331 nm
来自II-VI Incorporated的IND02C300D102是波长为1331nm、工作电压为1.6V、工作电流为60至80mA、阈值电流为5至17mA的激光二极管。有关IND02C300D102的更多详细信息,请参阅下文。
波长: 970 to 985 nm输出功率: 0.5 W
LUICS的LU0977S500是一款激光二极管,波长为970至985 nm,输出功率为0.5 W,工作电压为1.6至1.7 V,工作电流为0.6 A,阈值电流为55至65 mA.有关LU0977S500的更多详细信息,请参阅下文。
波长: 2284 nm输出功率: 0.002 W
Sacher Lasertechnik的DFB-2284-002是一款激光二极管,波长为2284 nm,输出功率为0.002 W,输出功率(连续波)为0.002 W,工作温度为15至40摄氏度。有关DFB-2284-002的更多详细信息,请参见下文。
波长: 785 nm输出功率: 0.1 W
Thorlabs Inc的LP785-SF100是一款激光二极管,波长为785 nm,输出功率为0.1 W,工作电压为2至2.8 V,工作电流为0.3至0.45 A,输出功率(CW)为0.1 W.有关LP785-SF100的更多详细信息,请参见下文。
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