激光二极管技术(Laser Diode Technology)
最近,激光二极管的商业和工业应用急剧增加。激光二极管的光学特性、小尺寸和坚固性使得许多新用途得以商业化。
更新时间:2024-04-19 14:40:59
概述
LRD-0635系列准直二极管(半导体)激光器非常适合需要635 nm波长和5 MW至5 W宽范围输出功率水平的应用,具有高水平的长期输出功率稳定性和较长的工作寿命,并且成本极具竞争力。这些激光器通常用于涉及生物研究的各种科学应用,以及PIV、光谱分析、激光显示(娱乐)和其他广泛的应用。该驱动器可作为一个完整的符合FDA标准的系统或作为一个尺寸显著减小的O.E.M.组件。
参数
规格书
厂家介绍
相关产品
NORCADA专注于近红外和中红外光谱区的单模分布反馈(DFB)半导体二极管激光器,用于气体传感和可调二极管激光吸收光谱(TDLAS)应用。我们的半导体中红外DFB激光器是使用MBE生长的InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱结构制造的,该材料系统理想地适用于1900-3600nm的波长范围。中红外DFB激光器为工业安全监控应用感兴趣的许多气体种类提供显著更高的传感灵敏度。我们根据客户的应用,为我们的激光产品提供标准TO式封装和光纤耦合封装。对于TO封装,我们有两种标准格式:TO39(TO5)和TO66。所有标准封装都在封装内配备微型热电冷却器(TEC),以保持激光温度的稳定性。TO39和TO66封装都带有倾斜的密封光学窗口(7度倾斜),以较大限度地减少背向反射。蝶式封装在单模光纤中为客户提供光纤耦合激光输出,该单模光纤通过FC/APC类型的连接器端接。
输出功率: 12mW
HL6358mg/59mg AlGaInP半导体激光器。
输出功率: 80mW
FKLD-80S-660-60X是660nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-80S-660-60X是一款CW单模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于便携式高密度光盘驱动器和其它光电子器件系统。
波长: 532 nm输出功率: 0.005 to 0.03 W
QD Laser的QLD0593-32xx是一款激光二极管,波长为532 nm,输出功率为0.005至0.03 W,输出功率(CW)为0.005至0.03 W.有关QLD0593-32xx的更多详细信息,请参见下文。
波长: 785 nm输出功率: 0.25 W
Sacher Lasertechnik的S1-0785-250是一款激光二极管,波长为785 nm,输出功率为0.25 W,输出功率(CW)为0.25 W.有关S1-0785-250的更多详细信息,请参见下文。
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