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下载规格书 拉比振荡被提出来描述暴露在振荡驱动场下的两级量子系统中的强耦合和群体转移。
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激光二极管FKLD-3S-785-60X-L概述
激光二极管FKLD-3S-785-60X-L参数
- 中心波长 / Center Wavelength: : 0.785um
- 输出功率 / Output Power: : 3mW
激光二极管FKLD-3S-785-60X-L规格书
激光二极管FKLD-3S-785-60X-L厂家介绍
法兰克福激光公司（FLC）由Vsevolod Mazo博士于1994年创立，25年来一直是半导体激光器的较好公司之一。几乎没有一种激光产品在这里找不到。该公司提供从紫外、可见光范围到红外和远红外的激光源、激光二极管、超发光二极管、激光模块、激光系统、DPSS激光器或中红外LED，包括单模和多模、自由空间光束和光纤耦合。
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图片名称分类制造商参数描述
- LASER DIODE FIDL-5S-850X半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 5mW
FIDL-5S-850X是用MOCVD半导体激光器制作的850nm AlGaAs/GaAs多量子阱。低阈值电流且高斜率效率有助于降低工作电流增强可靠性。25ºC下的预期寿命超过10000小时。FIDL-5S-850X是一款采用SOT-242 5.6mm封装的CW单模注入式半导体激光二极管内置监控光电二极管的CAN可稳定输出功率。其设计可在宽温度范围（-60ºC+70ºC）内工作，这使其成为军事、空间和恶劣工业应用的较佳激光源。该激光二极管适用于各种光电系统。
- QLD-1550-150S半导体激光器QPhotonics
波长: 1560 nm输出功率: 0 to 0.13 W
QLD-1550-150S是一种波长为1560nm的激光二极管，输出功率为0~0.13W，工作电压为1.94V，工作电流为0.393~0.393A，阈值电流为68mA.有关QLD-1550-150S的更多详细信息，请参阅下文。
- QLD-790-60S半导体激光器QPhotonics
波长: 788.1 nm输出功率: 0 to 0.06 W
Qphotonics公司的QLD-790-60S是波长为788.1 nm的激光二极管，输出功率为0~0.06 W，工作电压为1.85 V，工作电流为0.099~0.109 A，阈值电流为40 mA.有关QLD-790-60S的更多详细信息，请参阅下文。
- BAR-111半导体激光器SemiNex Corporation
波长: 1550 nm输出功率: 25 W
Seminex公司的BAR-111是波长为1550nm，输出功率为25W，工作电压为1.3V，工作电流为65A，阈值电流为10000mA的激光二极管。下面可以看到BAR-111的更多详细信息。
- SLD333V半导体激光器Sony Semiconductor Solutions Corporation
波长: 790 to 840 nm输出功率: 1 W
Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的SLD333V是一种激光二极管，波长为790至840 nm，输出功率为1 W，工作电压为2至3 V，工作电流为1.2至1.5 A，阈值电流为200至500 mA.有关SLD333V的更多详细信息，请参见下文。
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