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下载规格书 在《Light: Advanced Manufacturing》上发表的一篇新论文中，由余绍良博士和杜青阳博士领导的科学家团队开发出了新的封装技术。双光子光刻（TPL）是一种基于激光的技术，可用于创建分辨率极高的三维结构，它最近成为光子封装的一个前景广阔的解决方案，光子封装是将光子元件组装和连接成一个单一系统的过程。
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激光二极管 faxd-975-5w-200-hlw概述
FAXD-975-5W-200-HHLW是一种多模半导体连续输出功率为5W的975nm激光二极管。发射极尺寸为200µm。它被封装在带窗口的高热负荷封装中，适用于各种光电应用。
激光二极管 faxd-975-5w-200-hlw参数
- 中心波长 / Center Wavelength: : 0.975um
- 输出功率 / Output Power: : 5000mW
激光二极管 faxd-975-5w-200-hlw规格书
激光二极管 faxd-975-5w-200-hlw厂家介绍
法兰克福激光公司（FLC）由Vsevolod Mazo博士于1994年创立，25年来一直是半导体激光器的较好公司之一。几乎没有一种激光产品在这里找不到。该公司提供从紫外、可见光范围到红外和远红外的激光源、激光二极管、超发光二极管、激光模块、激光系统、DPSS激光器或中红外LED，包括单模和多模、自由空间光束和光纤耦合。
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图片名称分类制造商参数描述
- 976nm Single-Frequency Fiber Coupled 14-Pin BF半导体激光器Innovative Photonic Solutions
波长: 976nm输出功率: 500mW
创新的光子解决方案单模波长稳定激光器具有高输出功率、超窄光谱带宽和衍射受限的输出光束。单模光谱稳定激光器专为取代昂贵的DFB、DBR、光纤和外腔激光器而设计，在时间、温度（0.007 nm/0C）和振动方面具有出色的波长稳定性，并且可满足较苛刻的波长要求。单模光谱稳定激光器的波长范围为633 nm–2400 nm（上述标准波长），采用14引脚蝶形封装、集成OEM模块或带有用户可配置温度和功率控制电子设备的完全集成模块。激光波长可以精确指定并重复制造到0.1nm以内。该激光器是高分辨率拉曼光谱、共焦显微镜、直接二极管倍频、激光播种、气体传感、计量和遥感应用的理想选择。
- COMPACT-830 LASER DIODE MODULE半导体激光器World Star Tech
输出功率: 10-150mW
紧凑的触摸屏，是一个用户控制的激光系统，在一个紧凑的封装中集成了激光和控制电子设备。内置触摸屏显示激光操作参数，并可轻松快速地手动更改激光操作条件。紧凑型触摸屏允许用户设置激光功率、温度，扫描激光功率，并使用高达50kHz的内置内部函数发生器调制激光。外部调制高达1MHz，具体取决于波长/功率组合。Compact具有出色的光束质量、功率稳定性、温度控制和低噪声特性，适用于要求苛刻的应用。
- LASER DIODE FIDL-30M-639B半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 30mW
FIDL-30M-639B是基于GaInAlP多量子阱结构的639nm半导体激光器，采用MOCVD方法制备。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-30M-639B是一种连续多模注入半导体激光器。它采用9mm SOT-148外壳，内置监控二极管。该激光二极管适用于各种光电子器件系统。
- TO9-105半导体激光器SemiNex Corporation
波长: 1565 nm输出功率: 0.36 W
TO9-105是美国Seminex公司生产的波长为1565 nm的半导体激光器，输出功率为0.36 W，工作电压为2.5 V，工作电流为1.2 A，阈值电流为50 mA.有关TO9-105的更多详细信息，请参阅下文。
- HL6361MG半导体激光器Ushio Inc.
波长: 630 to 643 nm输出功率: 0.025 W
Ushio公司的HL6361MG是波长为630至643nm的激光二极管，输出功率为0.025W，工作电压为2.3至2.5V，工作电流为0.065至0.08A，阈值电流为45至60mA.有关HL6361MG的更多详细信息，请参阅下文。
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