大型缝合式X射线CMOS图像传感器

3300系列是开面、微通道板（MCP）、电阻式阳极编码器（Rae）位置敏感探测器头，用于带电粒子和高能光子探测，包括标准或涂层（如CSI、KBr）MCP表面上的电子、正电子、离子、高能中性粒子、EUV和软X射线，在真空中运行（完全UHV兼容）。位置灵敏MCP/Rae探测头使用精密氧化铝陶瓷和镀金不锈钢制造，以获得较大的UHV兼容性真空压力；在操作中，单个入射事件（粒子或光子）撞击MCP检测器表面并导致电子级联，其中倍增增益因子取决于MCP的数量和类型、偏置电压和MCP配置。通过适当的偏置，MCP在增益饱和模式下工作，以帮助确保事件间相对恒定的增益，从而优化这些MCP成像探测器的位置灵敏度和空间分辨率。

Amptek很高兴提供我们改进的硅漂移探测器（SDD）系列，用于扫描电子显微镜（SEM）中的能量色散谱（EDS）。使用我们获得专利的C系列氮化硅（Si3N4）X射线窗口，我们的FAST SDD®的低能量响应可向下延伸至铍（Be）。具有高本征效率的快速SDD®适用于EDS，也称为能量色散X射线光谱（EDX或XEDS）和能量色散X射线分析（EDXA）或能量色散X射线微量分析（EDXMA）。

我们的传统SDD在密封TO-8封装内使用结栅场效应晶体管（JFET）以及外部前置放大器，与此不同的是，快速SDD在TO-8封装内使用互补金属氧化物半导体（CMOS）前置放大器，并用金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）取代JFET。这显著降低了电容，大大降低了串联噪声，并在非常短的峰化时间内提高了分辨率。快速SDD®使用相同的检波器，但带有前置放大器，在较短的峰值时间内提供较低的噪声。改进的（较低的）分辨率使得能够隔离/分离具有接近的能量值的荧光X射线，否则峰值将重叠，从而允许用户更好地识别其样品中的所有元素。短的峰值时间也产生计数率的显著改进；更多的计数提供更好的统计数据。

Amptek获得专利的“C系列”X射线窗口利用带有铝涂层的氮化硅（Si3N4），将我们的硅漂移探测器（SDD）的低能量响应扩展到硼（B）。它们仅适用于我们的FASTSDD®。Amptek在推出先进款热电冷却探测器时提供了液氮的替代品。现在有了专利的“C系列”，我们为一般的XRF分析提供了铍（Be）窗口的替代方案，与用于软X射线分析的聚合物窗口相比，我们提供了优越的性能。