KAUST的科学家们展示了一种改变紧凑型半导体激光器的简单方法,使其在照明和全息摄影方面更加实用。这项研究发表在《Optica》杂志上。
HL65014DG AlGaInP激光二极管概述
HL65014DG AlGaInP半导体激光器
HL65014DG AlGaInP激光二极管参数
- 中心波长 / Center Wavelength: : 0.647-0.650um
- 输出功率 / Output Power: : 150mW
HL65014DG AlGaInP激光二极管规格书
HL65014DG AlGaInP激光二极管厂家介绍
相关内容
相关产品
- LASER DIODE FIDL-100S-850D-60半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 100mW
FIDL-100S-850D-60是用MOCVD半导体激光器制作的850nm AlGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-100S-850D-60是一款CW单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。它工作在-60ºC+60°C的宽温度范围内。激光二极管适用于军事、空间、恶劣工业应用中的各种光电系统。
- Laser For Raman Spectroscopy 830nm半导体激光器Flash Photonics
波长: 830nm输出功率: 500mW
我们销售的IPS激光器范围为405 nm至1064 nm,功率范围为10–500 MW。我们有多模和单模激光器。这些激光器是精密科学应用的理想选择,包括拉曼光谱、计量和干涉测量。可根据要求提供定制激光选项。
- DFB-1654-003半导体激光器Sacher Lasertechnik
波长: 1654 nm输出功率: 0.003 W
来自Sacher Lasertechnik的DFB-1654-003是一种激光二极管,波长为1654 nm,输出功率为0.003 W,输出功率(CW)为0.003 W.DFB-1654-003的更多详细信息可在下面查看。
- VPSL-0635-010-x-5-A/B半导体激光器Blue Sky Research
波长: 637 to 645 nm输出功率: 0.01 to 0.012 W
Blue Sky Research的VPSL-0635-010-X-5-A/B是波长为637至645 nm、输出功率为0.01至0.012 W、工作电压为2.2至2.5 V、工作电流为45至55 mA、阈值电流为35至47 mA的激光二极管。有关VPSL-0635-010-X-5-A/B的更多详细信息,请参阅下文。
- ML1248半导体激光器Modulight, Inc.
波长: 1290 to 1355 nm输出功率: 0.007 W
来自Modulight,Inc.的ML1248是波长为1290至1355nm、输出功率为0.007W、工作电压为1.1至1.6V、工作电流为37mA、阈值电流为20mA的激光二极管。有关ML1248的更多详细信息,请参阅下文。
相关文章
单频半导体激光器研究取得进展:氮化硅微谐振器大大提高半导体激光器性能
洛桑联邦理工学院(EPFL)光子系统实验室(PHOSL)的团队开发出了一种芯片级激光源,在提高半导体激光器性能的同时,还能产生更短的波长。 这项开创性工作由Camille Brès教授和来自洛桑联邦理工学院工程学院的博士后研究员Marco Clementi领导,是光子学领域的重大进展,对电信、计量学和其他高精度应用具有重要意义。
半导体激光器是通过半导体中电荷载流子对的辐射再结合产生的。与传统的激光系统相比,它们的效率更高,成本更低,所需的功率也更小,因此成为制造业、医药和能源领域的热门选择。
使用激光,研究人员可以直接控制核子的自旋,这可以编码量子信息
原则上,基于量子的设备,如计算机和传感器,在执行许多复杂任务时可以大大超过传统的数字技术。