收藏 
下载规格书 激光吸收光谱法是测定样品中气体组分浓度的一种重要方法。现代设备是高度专业化的，用于检测非常特殊的气体，如大气中的微量气体，燃烧废气和等离子体的技术应用。
全部产品分类
hl6388mg激光二极管概述
Ushio Opto Semiconductor（USHIO/OPNEXT激光二极管）提供405nm至850nm的各种功率水平。HL40033G（1000mW，405nm）紫光二极管是成像、生物医学和工业应用的理想选择。还提供HL40071MG，这是Ushio的一款新型单模405nm二极管，较大功率为300 MW。Ushio红色激光二极管的波长范围为633nm至690nm。高功率红色激光二极管HL63290HD、HL63520HD提供超过2 W的功率，可用于投影仪应用。HL65014DG是一种功率为150mW的单模红色激光二极管，可用作光学仪器的光源。Ushio红外和近红外激光二极管可用于705nm、730nm、830nm和850nm。World Star Tech拥有大多数Ushio激光二极管的大量库存。World Star Tech可提供Ushio激光二极管的波长测量和选择。此外，还可以较低的额外成本提供激光二极管的完整特性，这将使制造更加可靠和容易。波长、激光阈值电流、激光斜率效率、激光电压和监控二极管信息将与测量数据一起提供。请联系我们了解您的激光二极管要求。HL40033G激光二极管具有多模和9 mm封装。HL6388MG激光二极管具有单模和5.6 mm封装。HL6388MG是工业和医疗应用的理想选择，要求可靠运行，具有较长的使用寿命和稳定的输出功率。
hl6388mg激光二极管参数
- 中心波长 / Center Wavelength: : 0.637um
- 输出功率 / Output Power: : 250mW
hl6388mg激光二极管规格书
hl6388mg激光二极管厂家介绍
成立于1996年，专注于传感器、测量、生物医学和激光照明领域的激光应用。今天，我们是激光模块和激光传感器的领先制造商和设计商。我们的产品线包括从405 nm到1064 nm的各种功率范围的激光模块和系统。我们经验丰富、技术精湛的专业技术人员将帮助您解决较复杂的激光设计问题。
相关内容
相关产品
图片名称分类制造商参数描述
- FDL-785-2W-TA Tapered Amplifier for MOPA半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 2000mW
GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近2000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA（主振荡器功率放大器）。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层，以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。
- LASER DIODE FNLD-10S-1300D半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 10mW
FNLD-10S-1300D是用MOCVD半导体激光器制作的1300nm GaInAsP/InP多量子阱激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FNLD-10S 1300D是一款CW单横模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。
- UL5-1G-670 LASER DIODE MODULE半导体激光器World Star Tech
输出功率: 1mW
UL系列激光模块是完全独立的，集成了激光驱动电路、表面抛光玻璃球面透镜和激光二极管。独特的特性包括紧凑的阳极氧化铝机身、可精确调节的焦距、干净的光束、低发散度、高瞄准精度和工业强度。所有UL系列激光器均可定制，以添加圆形光束轮廓和TTL调制。如有任何定制要求，请与我们联系。
- F25-XXX-2半导体激光器Apollo Instruments, Inc.
波长: 780 to 1530 nm输出功率: 25 W
Apollo Instruments，Inc.的F25-XXX-2是一款激光二极管，波长为780至1530 nm，输出功率为25 W，工作电流为45至90 A.有关F25-XXX-2的更多详细信息，请参见下文。
- M28-xxxx-180半导体激光器Lumentum Operations LLC
波长: 980 nm输出功率: Up to 0.7 W
Lumentum Operations LLC的M28-XXXX-180是一款激光二极管，波长为980 nm，输出功率高达0.7 W，工作电压为1.7 V，工作电流为440 mA，阈值电流为125 mA.有关M28-XXXX-180的更多详细信息，请参阅下文。
相关文章
以氮化镓为基础的led的开发和制造企业、高亮度蓝光和白光led的发明者日亚半导体(Nichia)开始了高功率红光激光二极管(LD)芯片的自主生产。这家总部位于日本的公司将从2024年春季开始销售包括新型红光LD芯片在内的激光封装产品。
将来自光纤耦合半导体激光管的光耦合到有源光纤中是一个复杂的过程。 这对于MOPA配置来说尤其如此（图2），在这种情况下，两者都需要注入输入种子源和泵浦光源。
用于光通信和长距离激光雷达的具有极低多余噪声的新型光电二极管
光脉冲以闪光的形式出现，用于在高速光纤中传输信息，并越来越多地用于光探测和测距（LIDAR）的3维成像。