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下载规格书 超窄线宽激光稳定技术在各种科学技术应用中发挥着重要作用，从高精度光谱到先进干涉测量。本文讨论了超窄线宽激光稳定技术及其应用。
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FARL-80S-660-TO56 激光二极管 660nm 80mW概述
FARL-80S-660-TO56激光二极管660nm 80mW。
FARL-80S-660-TO56 激光二极管 660nm 80mW参数
- 中心波长 / Center Wavelength: : 0.660um
- 输出功率 / Output Power: : 80mW
FARL-80S-660-TO56 激光二极管 660nm 80mW图片集
FARL-80S-660-TO56 激光二极管 660nm 80mW规格书
FARL-80S-660-TO56 激光二极管 660nm 80mW厂家介绍
法兰克福激光公司（FLC）由Vsevolod Mazo博士于1994年创立，25年来一直是半导体激光器的较好公司之一。几乎没有一种激光产品在这里找不到。该公司提供从紫外、可见光范围到红外和远红外的激光源、激光二极管、超发光二极管、激光模块、激光系统、DPSS激光器或中红外LED，包括单模和多模、自由空间光束和光纤耦合。
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图片名称分类制造商参数描述
- 450nm Quasi-wavelength Fiber Coupled Laser System半导体激光器Beijing RealLight Technology Co. Ltd.
波长: 450nm输出功率: 20mW
RealLight Technology的准波长光纤耦合输出半导体激光系统可用于各种波长，具有出色的功率稳定性。该产品系列结构紧凑，便于携带，配备了出色的冷却系统和用户友好的界面。RealLight Technology还根据用户要求提供定制产品。
- QFLD-1055-600S半导体激光器QPhotonics
波长: 1050 to 1090 nm输出功率: 0 to 0.6 W
来自Qphotonics的QFLD-1055-600S是波长为1050至1090 nm、输出功率为0至0.6 W、工作电压为1.7至1.9 V、工作电流为0.9至1.1 A、阈值电流为110至150 mA的激光二极管。有关QFLD-1055-600S的更多详细信息，请参阅下文。
- V980-10GXA-1TGA半导体激光器Inneos
波长: 965 to 990 nm输出功率: 1 to 1.6 mW
Inneos的V980-10GXA-1TGA是一款垂直腔面发射激光二极管，工作波长为980 nm.光输出功率为1.6 W，斜率效率为0.5-0.75 MW/mA.该单通道顶部发射VCSEL在超过7.75GHz的带宽下具有10Gbps的数据速率。它的光谱宽度为0.4nm，光束发散半角为16度。V980-10GXA-1TGA可集成到收发器或传感器中，经过设计和测试，可在恶劣环境应用中保持高性能。该激光二极管的阈值电流为2 mA，反向电压高达8 V.它需要2-3.15 V的直流电源，消耗3 mA的电流。这款VCSEL采用裸片封装，尺寸为0.25 X 0.25 mm，非常适合工业和汽车应用。
- NUV203E半导体激光器Nichia Corporation
波长: 400 to 406 nm输出功率: 0.42 W
NICHIA公司的NUV203E是波长为400至406nm的激光二极管，输出功率为0.42W，工作电压为4.1V，工作电流为0.45A，阈值电流为140至180mA.有关NUV203E的更多详细信息，请参阅下文。
- DFB-1690-005半导体激光器Sacher Lasertechnik
波长: 1690 nm输出功率: 0.005 W
来自Sacher Lasertechnik的DFB-1690-005是波长为1690 nm、输出功率为0.005 W、工作电流为85至120 mA、阈值电流为15至45 mA、输出功率（连续波）为0.005 W的激光二极管。DFB-1690-005的更多详情见下文。
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