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下载规格书 单频半导体激光器研究取得进展：氮化硅微谐振器大大提高半导体激光器性能
洛桑联邦理工学院（EPFL）光子系统实验室（PHOSL）的团队开发出了一种芯片级激光源，在提高半导体激光器性能的同时，还能产生更短的波长。 这项开创性工作由Camille Brès教授和来自洛桑联邦理工学院工程学院的博士后研究员Marco Clementi领导，是光子学领域的重大进展，对电信、计量学和其他高精度应用具有重要意义。
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FARL-5S-650-TO56-LOC-APC 激光二极管650nm 5mW概述
FARL-5S-650-TO56-LOC-APC激光二极管650nm 5mW。
FARL-5S-650-TO56-LOC-APC 激光二极管650nm 5mW参数
- 中心波长 / Center Wavelength: : 0.655um
- 输出功率 / Output Power: : 5mW
FARL-5S-650-TO56-LOC-APC 激光二极管650nm 5mW规格书
FARL-5S-650-TO56-LOC-APC 激光二极管650nm 5mW厂家介绍
法兰克福激光公司（FLC）由Vsevolod Mazo博士于1994年创立，25年来一直是半导体激光器的较好公司之一。几乎没有一种激光产品在这里找不到。该公司提供从紫外、可见光范围到红外和远红外的激光源、激光二极管、超发光二极管、激光模块、激光系统、DPSS激光器或中红外LED，包括单模和多模、自由空间光束和光纤耦合。
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图片名称分类制造商参数描述
- LASER DIODE FIDL-5S-870X半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 5mW
FIDL-5S-870X是用MOCVD半导体激光器制作的870nmAlGaAs/GaAs多量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-5S-870X是一款采用SOT-242 5.6mmCAN封装的CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。
- 131F-10I-LT5RC半导体激光器MACOM
波长: 1310 nm
Macom的131F-10I-LT5RC是一款激光二极管，波长为1310 nm，工作温度为-40至85摄氏度。有关131F-10I-LT5RC的更多详细信息，请参见下文。
- RLD2WMFL3半导体激光器ROHM Semiconductor
波长: 685 to 782 nm输出功率: 0.01 W
来自Rohm Semiconductor的RLD2WMFL3是波长为685至782nm的激光二极管，输出功率为0.01W，工作电压为1.8至2.2V，工作电流为0.017至0.018A，阈值电流为12至13mA.有关RLD2WMFL3的更多详细信息，请参阅下文。
- LDS-1530-FP-1.25G-10/40半导体激光器LasersCom
波长: 1510 to 1560 nm输出功率: 10 to 40 mW
LASERSCOM的LDS-1530-FP-1.25G-10/40是一款激光二极管，波长为1510至1560 nm，输出功率为10至40 MW，工作电压为1.6至1.8 V，工作电流为110至130 mA.有关LDS-1530-FP-1.25G-10/40的更多详细信息，请参阅下文。
- LM-808-Q6000-H-G40-P1.9-0半导体激光器江苏亮点光电集团（Lumispot）
该激光器是叠阵形式封装的短巴条准连续半导体激光器（QCW Mini-Bar G-Stack），用作泵浦源，具有结构紧凑、体积小、重量轻、功率密度高、电光效率高、性能稳定、寿命长等优点。
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