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下载规格书 半导体激光器是通过半导体中电荷载流子对的辐射再结合产生的。与传统的激光系统相比，它们的效率更高，成本更低，所需的功率也更小，因此成为制造业、医药和能源领域的热门选择。
全部产品分类
概述
FARL-300M-808-TO56激光二极管808nm 300mW。
参数
- 中心波长 / Center Wavelength: : 0.808um
- 输出功率 / Output Power: : 300mW
图片集
规格书
厂家介绍
法兰克福激光公司（FLC）由Vsevolod Mazo博士于1994年创立，25年来一直是半导体激光器的较好公司之一。几乎没有一种激光产品在这里找不到。该公司提供从紫外、可见光范围到红外和远红外的激光源、激光二极管、超发光二极管、激光模块、激光系统、DPSS激光器或中红外LED，包括单模和多模、自由空间光束和光纤耦合。
相关产品
图片名称分类制造商参数描述
- 660L-14A: 660nm 90mW Laser (Diode; MATCHBOX 2)半导体激光器RPMC Lasers Inc.
波长: 660nm输出功率: 90mW
660nm红色二极管激光器用于许多基于荧光的应用，例如成像或分类。
- LASER DIODE FAXD-915-200S-BT半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 200mW
FAXD-915-200S-BT是光纤耦合单模连续输出功率为200mW的半导体激光器915nm。它配有内部热敏电阻、TEC和光电二极管，适用于各种光电应用。
- QFBGLD-635-1半导体激光器QPhotonics
波长: 636.7 nm输出功率: 0 to 0.001 W
来自Qphotonics的QFBGLD-635-1是波长为636.7nm、输出功率为0至0.001W、工作电压为2.23V、工作电流为0.06至0.06A、阈值电流为35mA的激光二极管。有关QFBGLD-635-1的更多详细信息，请参阅下文。
- ASM18P050半导体激光器Northrop Grumman
波长: 808 nm输出功率: 50 W
Northrop Grumman公司的ASM18P050是一种波长为808 nm、输出功率为50 W、工作电压为1.8 V、工作电流为54 A、阈值电流为12000 mA的激光二极管。有关ASM18P050的更多详细信息，请参阅下文。
- ALC-650-1000-FB半导体激光器AKELA Laser Corporation
波长: 650 nm输出功率: 1 W
ALC-650-1000-FB是由Akela Laser Corporation生产的激光二极管，其波长为650 nm，输出功率为1 W，工作电压为2.2 V，工作电流为1.7 A，阈值电流为700 mA.有关ALC-650-1000-FB的更多详细信息，请参阅下文。
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