超窄线宽激光稳定技术在各种科学技术应用中发挥着重要作用,从高精度光谱到先进干涉测量。本文讨论了超窄线宽激光稳定技术及其应用。
概述
FARL-20S-635-TO56-APC(初步)激光二极管635nm 20mW。
参数
- 中心波长 / Center Wavelength: : 0.639um
- 输出功率 / Output Power: : 20mW
规格书
厂家介绍
相关产品
- FDL-780-1W-TA Tapered Amplifier for MOPA半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 1000mW
GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近1000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA(主振荡器功率放大器)。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层,以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。
- CHP-115半导体激光器SemiNex Corporation
波长: 1550 nm输出功率: 0.4 W
CHP-115是Seminex公司生产的波长为1550nm的激光二极管,输出功率为0.4W,工作电压为2.7V,工作电流为1.8A,阈值电流为50mA.有关CHP-115的更多详细信息,请参见下文。
- PH895DBR Series半导体激光器Photodigm, Inc
波长: 893 to 897 nm输出功率: 0.04 to 0.28 W
来自Photodigm,Inc的PH895DBR系列是一款激光二极管,波长为895±2nm,输出功率(CW)为40mW-240mW,工作电压为2V-2.5V,阈值电流为50mA-80mA,提供蝶形,TO-8,C-Mount,CoS和Mercury等封装.有关PH895DBR系列的更多详细信息,请参见下文。
- RLT1300-10G半导体激光器Roithner Lasertechnik
波长: 1270 to 1330 nm输出功率: 0.01 W
Roithner Lasertechnik公司的RLT1300-10G是一种激光二极管,波长为1270至1330 nm,输出功率为0.01 W,工作电压为2 V,工作电流为0至0.07 A,阈值电流为35 mA.有关RLT1300-10G的更多详细信息,请参见下文。
- GCSLX-10-750m-2半导体激光器Kryptronic Technologies
波长: 665 nm输出功率: 750 mW
Kryptronic Technologies的GCSLX-10-750M-2是一款激光二极管,波长为665 nm,输出功率为750 MW,工作电压为2.1 V,工作电流为1.3 A.GCSLX-10-750M-2的更多详细信息可在下面查看。
相关文章
将来自光纤耦合半导体激光管的光耦合到有源光纤中是一个复杂的过程。 这对于MOPA配置来说尤其如此(图2),在这种情况下,两者都需要注入输入种子源和泵浦光源。
在《Light: Advanced Manufacturing》上发表的一篇新论文中,由余绍良博士和杜青阳博士领导的科学家团队开发出了新的封装技术。双光子光刻(TPL)是一种基于激光的技术,可用于创建分辨率极高的三维结构,它最近成为光子封装的一个前景广阔的解决方案,光子封装是将光子元件组装和连接成一个单一系统的过程。
初创公司Baraja为汽车应用提供制造 "随机调制连续波 "传感器所需的芯片