半导体激光器是通过半导体中电荷载流子对的辐射再结合产生的。与传统的激光系统相比，它们的效率更高，成本更低，所需的功率也更小，因此成为制造业、医药和能源领域的热门选择。
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DS3-51512-009-LDNo. 光纤耦合二极管激光系统
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获取报价 收藏 下载规格书 更新时间：2024-04-19 14:40:59
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DS3-51512-009-LDNo. 光纤耦合二极管激光系统概述
DS3-51512-009-LDNo. 光纤耦合二极管激光系统参数
- 激光类型 / Laser Type: : Continuous Wave (CW)
- 纤维类型 / Fiber Type: : Single Mode
- 波长 / Wavelength: : 635nm
- 输出功率 / Output Power: : 5000mW
- 纤维芯直径 / Fiber Core Diamater: : 9um
DS3-51512-009-LDNo. 光纤耦合二极管激光系统规格书
DS3-51512-009-LDNo. 光纤耦合二极管激光系统厂家介绍
BWT Beijing Ltd于2003年在中国北京成立。专门从事高性能半导体激光器组件和子系统的开发和制造。作为光纤耦合二极管激光器的领先供应商，BWT北京提供了波长范围宽、输出功率大的激光器。
BWT北京凭借一支在大功率半导体激光器封装、光束整形、光纤耦合等方面的技术熟练、经验丰富的专门人才团队，努力加强国际合作，开发出许多客户在多种应用中使用的高科技半导体激光器产品。
在过去的14年里，BWT Beijing开发了一批波长为405nm~1550nm，输出功率为1mW~300W的半导体激光器产品。这些激光产品具有瞄准光束、内部TEC、光纤传感器等多个关键集成特性。
凭借灵活的产品开发，BWT Bejing迅速响应市场变化，已向40多个国家出口产品。产品广泛应用于激光抽运、印刷、材料加工、夜视和医疗等行业。
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图片名称分类制造商参数描述
- LASER DIODE FIDL-250M-850X-E50半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 250mW
FIDL-250M-850X-E50是用MOCVD半导体激光器制作的AlGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-250M-850X-E50是一款CW多模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。
- LDX-3115-650: 650nm Multimode Laser Diode半导体激光器RPMC Lasers Inc.
输出功率: 1000mW
该650nm二极管激光器从自由空间封装中的150um发射器产生1000mW，或者从光纤耦合封装中的光纤产生800mW。它具有低阈值电流和高斜率效率，这导致了增强可靠性的低工作电流。
- LU0915T090 Industrial Laser Diode半导体激光器Lumics GmbH
波长: 915nm输出功率: 9000mW
多模光纤尾纤扁平PIN激光二极管模块包含优化的基于GaAs衬底的量子阱高功率激光二极管。通过我们正在申请专利的创新技术，实现了极其严格的可靠性要求。这包括精心设计、精确定义的制造和广泛的测试。资格认证包括光电、热和机械测试。每个激光二极管模块都是单独序列化的，以实现可追溯性，并随附一组特定的测试数据。
- SEC8-808C-01半导体激光器II-VI Incorporated
波长: 808 nm
II-VI Incorporated的SEC8-808C-01是一款激光二极管，波长为808 nm，工作电压为1.9 V，工作电流为8 A，阈值电流为1.2 A.SEC8-808C-01的更多详情见下文。
- T12半导体激光器Leonardo Electronics US
波长: 760 to 830 nm输出功率: 80 to 120 W
美国Leonardo Electronics的T12是一种激光二极管，其波长为760至830 nm，输出功率为80至120 W，工作电压为1.9至2 V，工作电流为90至125 A，阈值电流为15000至22000 mA.T12的更多细节可以在下面看到。
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