DL-CLS051D-S1648超窄线宽激光器

输出功率: 150mW

Ushio Opto Semiconductor（USHIO/OPNEXT激光二极管）提供405nm至850nm的各种功率水平。HL40033G（1000mW，405nm）紫光二极管是成像、生物医学和工业应用的理想选择。还提供HL40071MG，这是Ushio的一款新型单模405nm二极管，较大功率为300 MW。Ushio红色激光二极管的波长范围为633nm至690nm。高功率红色激光二极管HL63290HD、HL63520HD提供超过2 W的功率，可用于投影仪应用。HL65014DG是一种功率为150mW的单模红光激光二极管，可用作光学仪器的光源，Ushio红外和近红外激光二极管可用于705nm、730nm、830nm和850nm。World Star Tech拥有大多数Ushio激光二极管的大量库存。World Star Tech可提供Ushio激光二极管的波长测量和选择。此外，还可以较低的额外成本提供激光二极管的完整特性，这将使制造更加可靠和容易。波长、激光阈值电流、激光斜率效率、激光电压和监控二极管信息将与测量数据一起提供。请联系我们了解您的激光二极管要求。HL40041MG激光二极管具有多模式和5.6 mm封装。HL40041MG是工业和生物分析应用的理想选择，要求操作可靠，使用寿命长，输出功率稳定。

输出功率: 250mW

FIDL-250M-820X是用MOCVD半导体激光器制作的AlGaAs/GaAs多量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-250M-820X是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

波长: 1480nm输出功率: 43000mW

Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时，我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计，以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试，以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。

波长: 805 to 811 nm输出功率: 1 W

Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的SLD332F是一种激光二极管，其波长为805至811 nm，输出功率为1 W，工作电压为1.8至3.0 V，工作电流为1.2至1.5 A，阈值电流为400至500 mA.有关SLD332F的更多详细信息，请参阅下文。

波长: 1200 to 1280 nm输出功率: 30 mW

Innolume的DFB-12xx-PM-30是一款激光二极管，波长为1200至1280 nm，输出功率为30 MW，工作电压为1.8至3.5 V，工作电流为130至200 mA.有关DFB-12xx-PM-30的更多详细信息，请参阅下文。