单频半导体激光器研究取得进展:氮化硅微谐振器大大提高半导体激光器性能
洛桑联邦理工学院(EPFL)光子系统实验室(PHOSL)的团队开发出了一种芯片级激光源,在提高半导体激光器性能的同时,还能产生更短的波长。 这项开创性工作由Camille Brès教授和来自洛桑联邦理工学院工程学院的博士后研究员Marco Clementi领导,是光子学领域的重大进展,对电信、计量学和其他高精度应用具有重要意义。
更新时间:2024-04-19 14:40:59
概述
在连续波中测量激光器。它们通常安装在结上,这意味着在焊盘上偏置为负,在底座上偏置为正。使用电源ILX LightWave LDX-3232或同等产品。
参数
规格书
厂家介绍
相关产品
输出功率: 220mW
Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时,我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计,以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试,以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。
波长: 440 to 449 nm输出功率: 0 to 10 W
Ushio Opto Semiconductors的Blue-DE-44X是一种NECSEL蓝色直接发射激光器,工作波长为440至449 nm.它可提供10 W的输出功率,并具有高达28%的电源转换效率。激光器的纤芯直径为0.400mm,数值孔径为0.22。它的阈值电流高达350 mA,使用寿命长达20,000小时。该激光器采用带SMA-905连接器的光纤耦合封装,是数字投影、远程光源照明、危险照明、磷光照明、激光表演、医疗和法医应用的理想选择。
波长: 805 to 813 nm输出功率: 0.1 W
Roithner Lasertechnik公司的RLT808-100G是一种激光二极管,波长为805至813 nm,输出功率为0.1 W,工作电压为2.2至2.5 V,工作电流为0.15至0.18 A,阈值电流为35至50 mA.有关RLT808-100G的更多详细信息,请参阅下文。
波长: 1907 nm输出功率: 675 mW
来自Akela Laser Corporation的ALC-1720-00675-HHL是波长为1907 nm、输出功率为675 MW、工作电压为1.4 V、工作电流为5 A的激光二极管。有关ALC-1720-00675-HHL的更多详细信息,请参见下文。
波长: 1600 nm输出功率: 500 mW
Fibercom Ltd.的FB-M1600-500HO是波长为1600nm、输出功率为500mW、工作电压为1.2V、工作电流为2500mA的激光二极管。有关FB-M1600-500HO的更多详细信息,请参阅下文。
相关文章
单频半导体激光器研究取得进展:氮化硅微谐振器大大提高半导体激光器性能
洛桑联邦理工学院(EPFL)光子系统实验室(PHOSL)的团队开发出了一种芯片级激光源,在提高半导体激光器性能的同时,还能产生更短的波长。 这项开创性工作由Camille Brès教授和来自洛桑联邦理工学院工程学院的博士后研究员Marco Clementi领导,是光子学领域的重大进展,对电信、计量学和其他高精度应用具有重要意义。
什么是直接二极管激光器(Direct Diode Lasers)?
直接二极管激光器(DDL)是一种激光振荡器,它使用棱镜和透镜来集中来自半导体激光器阵列组成的激光二极管(LD)堆栈模块的激光束
激光吸收光谱法是测定样品中气体组分浓度的一种重要方法。现代设备是高度专业化的,用于检测非常特殊的气体,如大气中的微量气体,燃烧废气和等离子体的技术应用。
紧凑型光子芯片的精确热控制:玻璃基板集成微热电冷却器(SimTEC)
光子学提供了各种优势,包括通过利用光特性在光学数据通信、生物医学应用、汽车技术和人工智能领域实现高速低损耗通信。这些优势是通过复杂的光子电路实现的,包括集成在光子芯片上的各种光子元件。