在《Light: Advanced Manufacturing》上发表的一篇新论文中,由余绍良博士和杜青阳博士领导的科学家团队开发出了新的封装技术。双光子光刻(TPL)是一种基于激光的技术,可用于创建分辨率极高的三维结构,它最近成为光子封装的一个前景广阔的解决方案,光子封装是将光子元件组装和连接成一个单一系统的过程。
CW-RT-DFB-QC 1022.5-1031.1nm
更新时间:2024-04-19 14:40:59
CW-RT-DFB-QC 1022.5-1031.1nm概述
在连续波中测量激光器。它们通常安装在结上,这意味着在焊盘上偏置为负,在底座上偏置为正。使用电源ILX LightWave LDX-3232或同等产品。
CW-RT-DFB-QC 1022.5-1031.1nm参数
- 中心波长 / Center Wavelength: : 1.0268um
- 输出功率 / Output Power: : 50mW
CW-RT-DFB-QC 1022.5-1031.1nm规格书
CW-RT-DFB-QC 1022.5-1031.1nm厂家介绍
相关内容
相关产品
- Fabry-Pérot Laser Diode-LD-10XX-YY-400-1085nm半导体激光器Innolume GmbH
输出功率: 400mW
•400/600/670mW输出功率Ex-单模光纤 •可用波长范围1010-1090nm •专有镜面涂层技术,实现高可靠性 •PM980或HI1060光纤 •单独老化和热循环筛选 •可选监控光电二极管 •符合RoHS规范
- SemiNex High Power Single Mode Laser Diodes on C-Mount 1625nm 0.45W半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 450mW
Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时,我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计,以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试,以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。
- B-104-134半导体激光器SemiNex Corporation
波长: 1460 nm(+/-20)输出功率: 4.8 w
Seminex公司的B-104-134是一种激光二极管,波长为1460 nm(+/-20),输出功率为4.8 W,工作电压为1.7 V,工作电流为14 A.
- LD-450-1600MG半导体激光器Roithner Lasertechnik
波长: 440 to 460 nm输出功率: 1.6 W
来自Roithner Lasertechnik的LD-450-1600MG是波长为440至460 nm的激光二极管,输出功率为1.6 W,工作电压为4.8至6 V,工作电流为1.2至1.5 A,阈值电流为200至300 mA.有关LD-450-1600MG的更多详细信息,请参阅下文。
- FB-M1600-500HO半导体激光器Fibercom Ltd.
波长: 1600 nm输出功率: 500 mW
Fibercom Ltd.的FB-M1600-500HO是波长为1600nm、输出功率为500mW、工作电压为1.2V、工作电流为2500mA的激光二极管。有关FB-M1600-500HO的更多详细信息,请参阅下文。
相关文章
激光二极管技术(Laser Diode Technology)
最近,激光二极管的商业和工业应用急剧增加。激光二极管的光学特性、小尺寸和坚固性使得许多新用途得以商业化。
在斯特拉斯克莱德大学领导的研究中,能够反射或操纵光线的激光驱动的 "镜子 "已经产生。
当光穿过一种材料时,它的行为往往是不可预测的。这种现象是一个叫做“非线性光学”的整个研究领域的主题,现在从激光开发和光学频率计量到引力波天文学和量子信息科学,非线性光学已经成为技术和科学进步的一部分。