传统上,高功率193纳米(nm)激光器在光刻中起着关键作用,形成了用于精确图案的系统的组成部分。然而,传统ArF准分子激光器的相干性限制阻碍了它们在需要高分辨率图案的应用中的有效性,如干涉光刻。
CRYSTECH KTP晶体概述
CRYSTECH KTP晶体参数
- 水晶类型 / Crystal Type: : KTP (KTiOPO4)
- 相位测量类型 / Phase Mathcing Type: : Type I, Type II
- 安装 / Mounting: : Mounted, Unmounted
- 宽度 / Width: : 2-20mm
- 高度 / Height: : 2-20mm
- 长度 / Length: : 1-40mm
- 平整度 / Flatness: : <= Lambda/10
- 表面质量 / Surface Quality (Scratch-Dig): : 20-10
- AR 涂层 / AR Coating: : One side, Both Sides, Not Coated
CRYSTECH KTP晶体图片集
CRYSTECH KTP晶体规格书
CRYSTECH KTP晶体厂家介绍
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交叉极化波(XPW)的产生是一个非线性的三阶过程,在此过程中基波和产生的波具有相同的频率。然而,所产生的波与泵浦波偏振垂直偏振。在XPW产生过程中,相位匹配发生在大带宽上。这意味着基波和XPW具有相同的相速和群速。交叉极化波(XPW)的产生过程由晶体的三阶非线性和张量的各向异性驱动。用于交叉偏振波(XPW)产生的典型光学材料是具有Z(-#91;001-#93;)或全息(-#91;011-#93;)晶体取向的氟化钡(BaF2)晶体。理论预测,当使用-#91;011-#93;-切割BaF2晶体时,较大XPW能量转换效率约为35%,伴随的脉冲缩短因子为√3,对应于纯三阶非线性过程。
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