金属和电介质中的共振光学现象在许多领域都有深刻的应用。纳米级的限制允许前所未有地控制表面和界面的光-物质相互作用,操纵和控制光流。
CFD470光纤PIN光电二极管概述
CFD470包含一个安装在TO-18针座上的PIN硅光电二极管。该设备设计为在标准光纤插座的0.228(5.79mm)孔中自对准。外壳外侧的三个挤压肋条提供压合安装和精确对准。CFD470设计用于连接50/125至200/300微米的多模光纤。
CFD470光纤PIN光电二极管参数
- 二极管类型 / Diode Type: : Si
- 工作波长 / Wavelength Of Operation: : 880nm
CFD470光纤PIN光电二极管图片集
CFD470光纤PIN光电二极管规格书
CFD470光纤PIN光电二极管厂家介绍
Clairex Technologies于1994年在德克萨斯州注册成立,现已发展成为国际公认的半导体封装领域的#做的较好的#,专门从事高质量、高性能光电产品的设计和制造。如今,Clairex产品广泛应用于军事、医疗、汽车和工业领域。
相关内容
相关产品
- Gentec-EO Discrete Pyroelectric Sensor QS2-H光电探测器Gentec-EO
我们的热电探测器是一类室温热探测器,当暴露于辐射源时,其产生的电流输出与温度变化率成正比。它们较好用交流电流源、电容器和电阻器来描述。它们的电流输出由方程I=P(T)·A·DT/DT决定,其中I是电流,P(T)是Pyro系数,A是由前电极限定的面积,DT/DT是Pyro晶体的温度变化率。与其他红外探测器相比,热释电探测器的优点是:室温操作、宽光谱响应、高灵敏度(D*)和快速响应(亚纳秒至50Ω)。我们的被动式分立热电探测器直径范围为1至9毫米,并提供两种配置:高灵敏度或高平均功率。他们展示了覆盖有我们的金属涂层(MT)的热电探测器元件,并封装在微型TO-5或TO-8罐中。左图显示了两种类型探测器的引脚排列。我们的有机黑色涂层(BL),增加了光学吸收,并有助于平坦的光谱响应。我们还提供许多可添加到TO CAN的永久红外窗口。这些离散的Pyro探测器是脉冲激光应用的理想选择。
- PINFET LDPA 0003R光电探测器OSI Laser Diode, Inc.
OSI激光二极管公司LDPA 0003R PINFET为光接收机系统提供了出色的解决方案
- UPD-300-SP光电探测器ALPHALAS
光电探测器类型: Avalanche波长范围: 320 to 1100 nm
AlphaLas公司的UPD-300-SP是一种光学探测器,波长范围为320-1100nm,上升时间为300ps,暗电流为0.01nA,带宽为1GHz,有源区直径为0.283mm.有关UPD-300-SP的更多详细信息,请参阅下文。
- UPD-35-IR2-D光电探测器ALPHALAS
光电探测器类型: Avalanche波长范围: 800 to 1700 nm
来自AlphaLas的UPD-35-IR2-D是波长范围为800至1700nm、上升时间为35ps、暗电流为0.3nA、带宽为10GHz、有源区直径为0.0024mm的光学探测器。UPD-35-IR2-D的更多详情见下文。
- LFP-80105C光电探测器InfraTec
Infratec的LFP-80105C是一款光学探测器,波长范围调谐范围:8至10.5µm,带宽130至220 nm,响应度/光敏度电压响应度(RMS):1,300 V/W.LFP-80105C的更多详情见下文。
相关文章
混合过氧化物材料被广泛认为对下一代光子技术有重大的实际影响。由于其独特和更好的光电特性,铅基材料是最常见的。然而,人们认为铅的毒性很高,这可能会减缓甚至阻碍商业化的速度,因此对这些器件中存在的铅提出了一些质疑。
光电探测器也被称为光敏器,将光能转变为电信号。多年来,科学家们一直设想开发新型检测器,以发展卓越的太阳能电池。
这项题为 "具有增强的B-外激子发射和宽光谱响应的V-掺杂MoS2单层的气相生长 "的研究成果于2023年12月7日发表在《光电子学前沿》(Frontiers of Optoelectronics)上。这项研究为不断发展的二维半导体及其对光电技术的潜在影响提供了宝贵的见解。