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下载规格书 传统上，高功率193纳米(nm)激光器在光刻中起着关键作用，形成了用于精确图案的系统的组成部分。然而，传统ArF准分子激光器的相干性限制阻碍了它们在需要高分辨率图案的应用中的有效性，如干涉光刻。
全部产品分类
概述
产地：中国合肥（本土）品牌名称：Crystro型号：CE：LUAG晶体发射峰（nm）：510衰减时间（ns）：80能量分辨率：8%硬度：8.5结构：IA3D对称：立方熔化（℃）：1970℃属性：CE：LUAG化学成分：Lu3Al5O12厚度：±0.05毫米
参数
- 辐射长度 / Radiation Length: : 100mm
- 衰减时间常数 / Decay Time Constant: : 80ns
- 排放峰值 / Emission Peak: : 510nm
图片集
规格书
相关产品
图片名称分类制造商参数描述
- AgGaS2 and AgGaSe2 Crystals and Devices by United Crystals晶体United Crystals Inc.
AgGaS2和AgGaSe2是市场上仅有的非线性光学晶体，可用于红外范围内的谐波产生和OPO，特别是用于CO2激光器。
- AgGaSe2 Crystal晶体BoJen Optics, Inc.
AgGaSe2（AgSe）晶体在0.73um和18um处具有带边。当被各种不同的激光器泵浦时，其适用的传输范围0.9-16um和宽的相位匹配能力为OPO应用提供了极好的潜力。
- Cross Polarized Light Generation Crystal - BaF2 - 540-7105 Series晶体Altos Photonics, Inc.
交叉极化波（XPW）的产生是一个非线性三阶过程，在此过程中基波和产生的波具有相同的频率。然而，所产生的波与泵浦波偏振垂直偏振。在XPW产生过程中，相位匹配发生在大带宽上。这意味着基波和XPW具有相同的相速和群速。交叉极化波（XPW）的产生过程由晶体的三阶非线性和张量的各向异性驱动。用于交叉偏振波（XPW）产生的典型光学材料是具有Z（-#91；001-#93；）或全息（-#91；011-#93；）晶体取向的氟化钡（BaF2）晶体。理论预测，当使用-#91；011-#93；-切割BaF2晶体时，较大XPW能量转换效率约为35%，伴随的脉冲缩短因子为√3，对应于纯三阶非线性过程。
- EKSMA Lithium Triborate Crystal LBO - 404晶体Altos Photonics, Inc.
LBO非常适合于各种非线性光学应用：高峰值功率脉冲掺钕、钛宝石和染料激光器的倍频和三倍频；类型1和类型2相位匹配的光参量振荡器（OPO）连续和准连续辐射频率变换的非临界相位匹配
- Infrared Nonlinear Crystal - AgGaS2 (AGS)晶体DIEN TECH
AGS在0.50至13.2µm范围内透明。虽然其非线性光学系数是上述红外晶体中较低的，但在Nd：YAG激光泵浦的OPO中，利用了550nm的高短波长透过率边缘；在覆盖3–12µm范围的二极管、钛宝石、Nd：YAG和红外染料激光器的大量差频混频实验中；在直接红外对抗系统中，以及用于CO2激光器的SHG。薄的AgGaS2（AGS）晶体板是通过使用近红外波长脉冲的差频产生来产生中红外范围的超短脉冲的常用方法。
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