收藏 
下载规格书 以氮化镓为基础的led的开发和制造企业、高亮度蓝光和白光led的发明者日亚半导体(Nichia)开始了高功率红光激光二极管(LD)芯片的自主生产。这家总部位于日本的公司将从2024年春季开始销售包括新型红光LD芯片在内的激光封装产品。
全部产品分类
20mW 光纤耦合 iFLEX-iRIS - 852nm概述
Qioptiq iFlex-IRIS™固态激光系统在小型化封装中提供高性能稳定性和低振幅噪声。它们非常适合集成到需要高性能但又需要保持小尺寸的仪器中。作为主动温度控制的结果，激光器是无跳模和波长稳定的。所有CW IFLEX-IRIS激光器均使用内部反馈回路在自动功率控制模式下工作。该功能提供高度稳定的输出功率，并确保在整个产品生命周期内保持高功率稳定性能。
20mW 光纤耦合 iFLEX-iRIS - 852nm参数
- 中心波长 / Center Wavelength: : 0.852um
- 输出功率 / Output Power: : 20mW
20mW 光纤耦合 iFLEX-iRIS - 852nm规格书
相关内容
相关产品
图片名称分类制造商参数描述
- Laser Diode Module HQML3-445半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 40mW
激光二极管模块HQML3-445
- PL.M405.800 MICRO-LD- Series Laser Module半导体激光器Pegasus Lasersysteme GmbH
输出功率: 800mW
Pegasus Micro-LD是一种高功率二极管激光模块。可根据要求提供“红色”（638 nm）、“绿色”（520 nm）、“蓝色”（450 nm）和“紫色”（405 nm）或其他波长。除了高功率稳定性之外，内部温度稳定性还确保了高波长稳定性，即使对于变化的环境温度也是如此。在450 nm的蓝色范围内，光功率高达5 W，结合其非常紧凑的OEM外壳，为法医照明应用提供了理想的解决方案。
- Seminex High Power IR Multi-Mode Laser 1465nm半导体激光器FrankFurt Laser Company
波长: 1465nm输出功率: 10000mW
Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时，我们将进一步优化我们的Inplaser芯片的设计，以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、棒材和封装经过测试，以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。
- APA4501040002半导体激光器II-VI Incorporated
输出功率: 1.5 to 2.2 mW
来自II-VI Incorporated的APA4501040002是波长为840nm、850nm、860nm的激光二极管，输出功率为1.5至2.2mW，工作电压为2.1至2.2V，阈值电流为0.7至1.2mA.有关APA4501040002的更多详细信息，请参阅下文。
- LD1550-C500半导体激光器Roithner Lasertechnik
波长: 1540 to 1580 nm输出功率: 0.5 W
Roithner Lasertechnik的LD1550-C500是一款激光二极管，波长为1540至1580 nm，输出功率为0.5 W，工作电压为1.8 V，工作电流为0至2.5 A，阈值电流为700 mA.有关LD1550-C500的更多详细信息，请参阅下文。
相关文章
半导体激光器是通过半导体中电荷载流子对的辐射再结合产生的。与传统的激光系统相比，它们的效率更高，成本更低，所需的功率也更小，因此成为制造业、医药和能源领域的热门选择。
激光吸收光谱法是测定样品中气体组分浓度的一种重要方法。现代设备是高度专业化的，用于检测非常特殊的气体，如大气中的微量气体，燃烧废气和等离子体的技术应用。
二极管泵浦固体（DPSS）激光器是用激光二极管泵浦的固体激光器。