单频半导体激光器研究取得进展:氮化硅微谐振器大大提高半导体激光器性能
洛桑联邦理工学院(EPFL)光子系统实验室(PHOSL)的团队开发出了一种芯片级激光源,在提高半导体激光器性能的同时,还能产生更短的波长。 这项开创性工作由Camille Brès教授和来自洛桑联邦理工学院工程学院的博士后研究员Marco Clementi领导,是光子学领域的重大进展,对电信、计量学和其他高精度应用具有重要意义。
更新时间:2024-04-19 14:40:59
概述
台式光源系列是一种智能化、高功能的稳定光源。采用功能强大的自动功率控制和自动温度控制技术,保证了输出功率的稳定性。Bola光源可用于机架安装和台式机柜。
参数
规格书
厂家介绍
相关产品
输出功率: 2500mW
Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。如有必要,我们将进一步优化InP激光器芯片的设计,以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试,以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。
输出功率: 320mW
TO38 405nm 320mW NICHIA NDV4542蓝紫激光二极管 特征: 光输出功率:脉冲320m W罐型:φ浮式安装 峰值波长:405nm 绝对较大额定值 光输出功率:250 MW(连续),400mW(脉冲) LD反向电压:2V 储存温度:-40~85°C 工况温度:-10~80°C 脉冲条件:脉宽30ns,占空比50% 激光安全 激光会损伤人的眼睛和皮肤,不要将眼睛或皮肤直接和/或通过光学透镜暴露在任何激光下。在处理LDS时,请佩戴适当的安全眼镜,以防止激光甚至任何反射光进入眼睛。通过光学仪器的聚焦激光束将增加对眼睛造成伤害的机会。这些LD属于IEC60825-1和21 CFR第1040.10部分安全标准的第4类。绝对有必要对纳入和/或集成了Nichia LDS的用户模块、设备和系统采取全面的安全措施。
输出功率: 1.3 to 2.2 mW
来自II-VI Incorporated的APA4401010001是波长为840nm、850nm、860nm的激光二极管,输出功率为1.3至2.2mW,工作电压为2.2V,阈值电流为0.3至1.3mA.有关APA4401010001的更多详细信息,请参阅下文。
波长: 800 to 815 nm输出功率: 0.13 to 0.15 W
Blue Sky Research的VPSL-0808-150-X-9-B是波长为800至815 nm、输出功率为0.13至0.15 W、工作电压为2.1至2.4 V、工作电流为160至220 mA、阈值电流为35至55 mA的激光二极管。有关VPSL-0808-150-X-9-B的更多详细信息,请参阅下文。
波长: 980 nm输出功率: Up to 0.6 W
Lumentum Operations LLC的M12-XXXX-160是一款激光二极管,波长980 nm,输出功率高达0.6 W,工作电流470 mA,阈值电流170 mA,输出功率(CW)高达0.6 W.有关M12-XXXX-160的更多详细信息,请参见下文。
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锥形光纤是提供高能量、高光束质量的超快激光器的潜在器件