用于模拟、射频和毫米波应用的FD-SOI集成解决方案

作者: Andreia Cathelin
机构: STMicroelectronics, Crolles, 法国
发布年份: 2018年
更新时间: 2025-04-03 11:19:52
关键词: FD-SOI,模拟电路,射频,毫米波,CMOS技术
摘要:

完全耗尽的绝缘体上硅(FD-SOI)是目前允许遵循28nm节点及更先进的CMOS集成的摩尔定律的替代方案之一,同时仍然使用完全平面的晶体管。本次演讲将重点介绍STMicroelectronics的28nm FD-SOI CMOS技术在模拟/射频/毫米波和高速混合信号电路中的优势,通过充分利用宽电压范围的体偏置调节。对于每种电路类别(模拟/射频、毫米波和高速),将给出具体的设计示例,以突出FD-SOI特有的主要设计特性。同时还将简要关注与这种超薄体和盒(UTBB)FD-SOI技术相关的特定方面的建模及其在实际设计平台中的实现。

结论:
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实验方法及产品解析:
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