HgTe/CdHgTe量子阱中温度驱动的单谷Dirac费米子的光谱研究

作者: A.M. Kadykov,S.S. Krishtopenko,B. Jouault,W. Desrat,M. Marcinkiewicz,S. Ruffenach,C. Consejo,J. Torres,S.V. Morozov,V.I. Gavrilenko,N.N. Mikhailov,S.A. Dvoretskii,W. Knap,F. Teppe
机构: 蒙彼利埃大学Charles Coulomb实验室,蒙彼利埃大学电子与系统研究所,俄罗斯科学院微结构物理研究所,俄罗斯科学院半导体物理研究所
发布年份: 2018年
更新时间: 2025-04-03 11:19:52
关键词: HgTe/CdHgTe量子阱,Dirac费米子,拓扑相变,磁光谱,温度依赖
摘要:

我们报告了在临界阱厚度dc以上的HgTe/CdHgTe量子阱的温度依赖磁吸收和磁传输光谱研究。我们的结果表明,带隙能量随温度变化。在我们的磁光谱测量中,清楚地观察到量子自旋霍尔态和普通绝缘体态之间的拓扑相变,显示在6.5和8 nm量子阱中分别在27 K和90 K时出现单谷Dirac费米子。

结论:
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实验方法及产品解析:
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