创新的光子解决方案单模波长稳定激光器具有高输出功率、超窄光谱带宽和衍射受限的输出光束。单模光谱稳定激光器专为取代昂贵的DFB、DBR、光纤和外腔激光器而设计，在时间、温度（0.007 nm/0C）和振动方面具有出色的波长稳定性，并且可满足较苛刻的波长要求。单模光谱稳定激光器的波长范围为633 nm–2400 nm（上述标准波长），采用14引脚蝶形封装、集成OEM模块或带有用户可配置温度和功率控制电子设备的完全集成模块。激光波长可以精确指定并重复制造到0.1nm以内。该激光器是高分辨率拉曼光谱、共焦显微镜、直接二极管倍频、激光播种、气体传感、计量和遥感应用的理想选择。

BBO（β-BaB2O4）是一种优良的非线性晶体，可用于可见光和近红外激光的倍频（SHG），近红外到紫外波长的超快脉冲泵浦的OPO/OPG/OPA，以及可见光到深紫外的和频（SFM）。BBO晶体是少数几种可用于500 nm以下倍频和自聚焦的实用晶体之一，具有宽的可调性、高的损伤阈值和高的效率。BBO的小接收角需要非常好的光束质量，并且其大的走离导致非常椭圆或狭缝状的输出光束。I型操作通常比II型操作更有效。BBO不能用于NCPM（温度调节）应用。BBO是一种非常好的可调谐激光光源，如超快钛宝石或染料激光器，也广泛用于飞秒和皮秒钛宝石激光器的倍频、3HG、4HG和自相关。1064nm和1320nm的YAG激光器的倍频、3Hg、4Hg、5Hg，以产生212-660nm的输出；从410-750nm可调谐染料或固态激光源的SHG以产生205-375nm的输出，染料激光和YAG谐波的SFM以产生189-400nm的输出；DFM（差频混合）从可见光到高达超过3000nm的IR范围；用YAG或Ti：Sapphire的SHG或3HG泵浦的OPO，输出范围为400-3000；氩离子激光器（488，514nm）或铜蒸气激光器（510nm，578nm）的腔内SHG。

FARL-50S-660-TO56激光二极管660nm 50mW。

FARL-80S-660-TO56激光二极管660nm 80mW。

MVSTEREOPSEUDO随机图案生成器（PRPG）投影33000个发散点的点阵。它有660nm和830nm两种。激光组件为每个波长提供眼睛安全版本。MVStereoPrpglasers包括我们新的数字激光驱动器，该驱动器提供各种编程和报告功能。

FIDL-100M-660D是一种基于GaInAlP多量子阱结构的660nm半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-100M-660D是连续多模注入半导体激光器。它采用9毫米外壳，内置监控二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-250M-660D是一种基于GaInAlP多量子阱结构的660nm半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-250M-660D是CW多模注入半导体激光器。它以9毫米外壳提供内置监控二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-50M-660D是一种基于GaInAlP多量子阱结构的660nm半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于提高低工作电流的可靠性。FIDL-50M-660D是一种连续多模注入半导体激光器。它采用9毫米外壳，内置监控二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。

FKLD-30S-660-70X是660nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-30S-660-70X是一款CW单模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光打印机和其他光电系统。

FKLD-35S-660-70X是660nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-35S-660-70X是一款CW单模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光打印机和其他光电系统。

FKLD-50S-660-75X是660nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-50S-660-75X是一款CW单模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于便携式高密度光盘驱动器和其它光电子器件系统。

FKLD-80S-660-60X是660nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-80S-660-60X是一款CW单模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于便携式高密度光盘驱动器和其它光电子器件系统。

FLX-660-1000M-150是一款多模半导体激光器。660nm连续输出功率为1000mW的二极管。可用的封装为B-Mount、C-Mount、Q-Mount，9毫米到CAN，TO-3 CAN和HHL。它适用于各种光电应用。

FLX-660-2000M-300是一款多模半导体激光器。660nm连续输出功率2000mW的二极管。可用的封装包括B-mount、C-mount、Q-mount、TO-3 CAN和赫赫尔。适用于各种光电子器件应用程序。

FLX-660-300M-50是一款多模半导体激光二极管，在660nm处具有300mW连续输出功率。可用的封装有B-mount、C-mount、Q-mount、9mm TO CAN、TO-3 CAN和HHL。它适用于各种光电应用。

FLX-660-700M-100是一款多模半导体激光二极管，在660nm处具有700mW连续输出功率。可用的封装有B-Mount、C-Mount、Q-Mount，9毫米至CAN、TO-3 CAN和HHL。它适用于各种光电应用。

FLX-665-1600M-300是一款多模半导体激光器。660nm连续输出功率1600mW的二极管。可用的封装为B-Mount、C-Mount、Q-Mount和HHL。它是适用于各种光电应用。

FOLD-660-35S-VBG是一种单模半导体激光器在660nm处连续输出功率为35mW的二极管。由于集成VBG波长固定，光谱宽度很窄。适用于各种光电子器件。应用程序。

FTLD-1660-05S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1660nm激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1660-05S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1660-10S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1660nm激光器，采用MOCVD和LPE技术制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1660-10S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。