对于激光安装，可以在导体区域上选择性地施加真空沉积的AuSn薄层。标准合金比通常为76Au/24Sn，厚度通常约为4-5微米。在回流时，在下面的导体中和在激光器芯片的下侧上的Au与预沉积的焊料结合以形成近似于80Au/20Sn的共晶比的合金。所得到的合金很好地流动并润湿激光器和载体，从而产生极好的低空隙接头，使热阻和热点较小化。合金比例也可以根据具体应用进行调整。

FF-14YY-XXXS-BTF-FBG系列设计用于各种光放大器，例如用于光传输系统的拉曼放大器，尤其是密集波分复用（DWDM）系统。应变多量子阱激光二极管芯片与热电制冷器（TEC）、热敏电阻和PIN光电二极管集成在一个密封的14针蝶形封装中。双透镜系统将来自激光器芯片的圆形光有效地耦合到光纤，并使输出功率高达360mW。激光模块符合TelcordiaTM GR-468要求中所述的电信要求，并在ISOTM9001认证生产线上制造。

FIDL-500M-850X是用MOCVD半导体激光器制作的850nm AlGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-500M-850X是一款CW多模注入式半导体激光器芯片，安装在SOT-148 9mmTO-CAN中，集成监控光电二极管以稳定输出功率，并采用TO-3封装，带有TEC、热敏电阻和监控二极管。

日亚NUBM44 450nm 6W 9mm全新NUBM44是一款发射6W功率的445nm激光二极管。它是目前所有9mm TO-CAN（TO-5封装）激光二极管的较高功率。尽管NUBM44的典型中心波长为445nm，但在某些文献中，它有时被称为450nm激光二极管。尽管这是一个多模激光二极管，但它具有极窄的波导，这使得它几乎具有任何高功率半导体激光器的较低光学扩展量（给定光束直径的远场发散度）。与其他高功率激光二极管相比，窄发射极宽度使其能够更好地准直和聚焦。-6.0W蓝色激光二极管，波长445nm-高度可聚焦且能够很好地准直-紧凑型TO-5（9mm）TO-CAN封装-0C至65C的宽工作温度范围-氮化镓蓝色激光技术可延长高温下的使用寿命设计波长：445 nm工作电流典型值[A]：3 A工作温度范围：0至+60°C工作电压：3.7-5.2 V封装：TO-5阈值电流：150-350 mA存储温度范围：-40至85°C20°C时的光功率[W]：6 W估计寿命：10000小时与其它高功率半导体激光器相比，这种蓝色激光二极管相对不受工作温度的影响，并且具有0℃至65℃的外壳工作温度范围。NUBM44在25℃下的典型寿命为20，000小时。然而，如果蓝色激光器的外壳温度被加热到65℃，则寿命仅降低很小的系数。由于较近开发的氮化镓激光技术，这是先进可能的。目前用于红光和近红外激光二极管的砷化镓激光技术不能在高温下实现低的长期退化水平。因此，这种蓝色激光二极管是各种环境和应用的可靠选择。此外，该GaN激光器具有特殊的TO-5（9mm）封装，这使其具有比该功率水平下的激光二极管通常可能的热阻更低的热阻。9毫米的TO-CAN也是密封的，可以保护半导体激光器芯片免受灰尘和其他污染。相比之下，高功率红光和NIR激光二极管通常需要C-Mount封装，其具有暴露的刻面，如果不在洁净室环境中操作，则会出现可靠性问题。

Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时，我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计，以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试，以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。

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