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AXIS Nova² X射线光电子能谱仪 材料分析和取证

AXIS Nova² X射线光电子能谱仪

分类: 材料分析和取证

厂家: Hiden Analytical

产地: 英国

型号: AXIS Nova²

更新时间: 2025-12-23T08:01:32.000Z

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概述

AXIS Nova²是一款高性能、高通量的X射线光电子能谱仪,专为表面分析和材料表征设计,提供卓越的成像能力和灵敏度

参数

  • 真空系统 / Vacuum System : 400L/sec涡轮分子泵,带旋转泵备份,辅助钛升华泵
  • 样品分析腔 / Sample Analysis Chamber : 灵活样品装载,样品电梯可容纳多达3个样品托盘
  • 激发光源 / Excitation Sources : 高功率单色X射线源,500mm Rowland circle,单石英抛物面背板
  • 电子能量分析仪 / Electron Energy Analysers : 180°半球分析仪(光谱),球面镜分析仪(平行成像)
  • 光电子探测器 / Photoelectron Detector : 多通道板阵列,带延迟线探测器,扫描和快照光谱采集,2D平行成像
  • 样品安装和处理 / Sample Mounting & Handling : 标准样品托盘,深样品托盘,角分辨托盘(0-85°样品旋转),计算旋转托盘(剖面分析时旋转)
  • 软件 / Software : ESCape集成采集和处理软件,用于自动化采集和仪器控制

应用

1. 表面化学分析 2. 材料科学研究 3. 半导体和电子器件分析 4. 纳米技术研究 5. 催化剂表征

特征

1. 高灵敏度和大面积分析能力 2. 高分辨率XPS成像 3. 多技术兼容性 4. 自动化样品处理 5. 深度剖面分析能力

图片集

AXIS Nova²图1
AXIS Nova²图2
AXIS Nova²图3
AXIS Nova²图4
AXIS Nova²图5
AXIS Nova²图6
AXIS Nova²图7
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AXIS Nova²图9
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AXIS Nova²图19
AXIS Nova²图20
AXIS Nova²图21
AXIS Nova²图22
AXIS Nova²图23
AXIS Nova²图24

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基于平台30万篇光学领域SCI论文分析

  • 多孔硅纳米结构作为高效的法拉第电化学传感平台
    电化学 多孔硅 碳稳定化 生物传感

    首次研究了通过乙炔气体热分解稳定的多孔硅(pSi)的电化学性能。本研究中,pSi分别在525°C和800°C下经历两次热处理,得到氢封端的经热烃化的pSi(THCpSi)和羟基封端的经热碳化的pSi(TCpSi),后者通过浸入氢氟酸活化表面封端。采用循环伏安法、计时库仑法和电化学阻抗谱,在[Fe(CN)6]3/4−、[Ru(NH3)6]2/3+和氢醌/醌等多种氧化还原对存在下进行电化学表征,证明了碳稳定化pSi纳米结构的多功能性和高降解稳定性及其优异的电化学性能。除具有大比表面积、可调孔隙形态和可定制表面化学特性外,THCpSi和TCpSi这些纳米结构还展现出快速电子转移动力学,相比传统碳电极具有关键优势。THCpSi和TCpSi的多功能表面化学特性为根据待固定生物受体的性质引入多种官能团提供了多种可能。作为原理验证,通过电化学阻抗谱展示了基于THCpSi的免疫传感器检测MS2噬菌体的应用,其检测限达到4.9 pfu mL−1。碳稳定化pSi结构代表了用于生物传感应用的一类新型纳米结构电极。

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  • 等离子电解氧化制备的钙掺杂钛酸钡涂层中显著增强的铁电性能
    钙掺杂 钛酸钡 涂层 铁电性能 等离子体电解氧化

    本研究通过等离子体电解氧化(PEO)工艺直接在钛基体上制备了钙掺杂钛酸钡涂层。采用0.2 M氢氧化钡与不同量氧化钙的水溶液混合物作为PEO过程的电解液。通过多种技术手段对合成的涂层进行了细致表征,并研究了其铁电性能。研究发现少量钙掺杂有利于提升涂层的铁电性能,优化后的钙掺杂涂层铁电性能是无掺杂涂层的350倍。但过量钙掺杂会损害铁电性能,这是由于四方相含量减少及高钙化合物形成所致。本研究表明通过优化钙掺杂量可显著改善钛酸钡涂层的铁电性能。此外,该研究为通过PEO技术的化学掺杂来提升涂层材料的铁电和压电性能提供了新思路。

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  • 多孔硅的空间可控表面改性用于持续药物递送应用
    控释 喜树碱 表面改性 抗污 药物递送 多孔硅

    报道了一种选择性功能化多孔硅(pSi)内外表面以实现药物递送应用的新方法。为构建适合疏水性抗癌化疗药物喜树碱(CPT)缓释的表面,首先采用1-十二烯对pSi薄膜内表面进行修饰。通过空气等离子体处理后,使用(3-氨基丙基)三乙氧基硅烷(APTES)进行硅烷化处理形成中间层,进一步修饰pSi样品外表面。此外,通过旋涂和紫外光交联将N-(2-羟丙基)丙烯酰胺(HPAm)与N-二苯甲酮丙烯酰胺(BPAm)共聚物接枝到pSi外表面。采用衰减全反射-傅里叶变换红外光谱(ATR-FTIR)、水接触角(WCA)测量、X射线光电子能谱(XPS)和扫描电子显微镜(SEM)验证各修饰步骤。为确认空气等离子体处理和硅烷化仅发生在pSi样品顶层,通过荧光素异硫氰酸酯(FITC)偶联后采用共聚焦显微镜观察。在PBS中进行的17小时释药研究表明,改性pSi储库能持续释放CPT并保持优异稳定性。蛋白吸附和细胞黏附实验表明接枝聚合物层可显著降低两者吸附。结合生物相容的pSi基底材料,本研究所描述的简易修饰策略为癌症治疗提供了新型多功能药物递送系统(DDS)。

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实验方案推荐
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  • 纳米材料与技术实验方案

    1. 实验设计与方法选择:研究通过将晶体硅在HF/乙醇溶液中电化学阳极氧化制备多孔硅单层,随后分别在525°C(THCpSi)和800°C(TCpSi)下通过乙炔热分解进行碳稳定化处理。采用循环伏安法(CV)、计时库仑法(CC)和电化学阻抗谱(EIS)结合氧化还原对([Fe(CN)6]3/4−、[Ru(NH3)6]2/3+、HQ/Q)进行电化学表征。通过扫描电镜(SEM)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)、X射线光电子能谱(XPS)、X射线衍射(XRD)和水接触角测量分析表面形貌与化学性质。利用硅氢化反应和碳二亚胺偶联法将抗MS2抗体功能化于THCpSi表面,构建用于MS2噬菌体检测的免疫传感器,通过EIS实现检测。 2. 样本选择与数据来源:多孔硅样品制备采用电阻率为0.00055–0.001 Ω·cm和1.1–1.8 Ω·cm的硼掺杂硅片(p型,100晶向)。氧化还原物种及化学试剂购自Sigma-Aldrich等供应商。MS2噬菌体与抗体由Tetracore公司提供。 3. 实验设备与材料清单:设备包括MPSB湿法刻蚀系统(AMMT)、碳稳定化用石英管炉、扫描电镜(FEI Nova Nano SEM 430)、FTIR光谱仪(Bruker Hyperion 1000)、XPS(AXIS Nova光谱仪,Kratos Analytical)、XRD(Rigaku SmartLab)、电化学分析仪(CH Instruments 600D系列)等。材料包含氢氟酸、乙炔气体、氧化还原化学试剂、抗体及缓冲液。 4. 实验流程与操作步骤:多孔硅制备通过特定电流密度与时间的阳极氧化实现。碳稳定化在氮气与乙炔气流中进行热处理。电化学测量采用配备指定电极的三电极体系。免疫传感器制备流程包括硅氢化反应、碳二亚胺活化、抗体固定、MS2孵育,最终进行EIS测量。 5. 数据分析方法:电化学数据使用CH Instruments软件分析,XPS数据通过CasaXPS处理,FTIR数据采用Opus分析,接触角数据使用ImageJ处理。从CV、CC和EIS数据中提取电化学参数(如ΔEp、Rct、Cdl),并通过等效电路(如Randles电路)进行拟合。

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  • 功能材料实验方案

    1. 实验设计与方法选择:本研究采用等离子体电解氧化(PEO)技术在钛基体上沉积掺钙钛酸钡(Ca-doped BaTiO3)涂层。使用单极脉冲直流电源以恒流模式运行(参数:频率500 Hz,电流密度0.2 A/cm²,占空比80%)。电解液为含0.2 M Ba(OH)2的水溶液,其中CaO浓度梯度为0至0.050 M。 2. 样品选择与数据来源:Ti6Al4V钛基体试样(直径2 cm×厚度0.08 cm)由0.8 mm厚板材制备。试样经酸混合液(25%体积比HF,75%体积比HNO3)蚀刻去除表面氧化物,依次用蒸馏水和乙醇清洗并干燥。 3. 实验设备与材料清单:设备包括单极脉冲直流电源、X射线衍射仪(PHILIPS PW3040/60)、扫描电镜(COXEM EM-30 Plus,配能谱仪)、X射线光电子能谱仪(AXIS Nova,Kratos公司)及铁电测试仪(Precision LC II,Radiant科技公司)。材料包含钛基体、Ba(OH)2、CaO、银浆、铜导线及指定电解液。 4. 实验流程与操作步骤:PEO装置中钛样品作阳极,石墨板作阴极。涂层生长过程中终止电压达98 V。沉积后通过XRD(2θ范围20–90°,步长0.02°)、SEM(表面及截面形貌)、EDS(元素分析)、XPS(氧化态)进行表征,并在1 Hz频率下以0.1 V/s扫描速率从-10 V至10 V测量铁电滞回环。 5. 数据分析方法:通过XRD图谱进行物相鉴定,SEM图像分析形貌,EDS确定元素组成与分布,XPS光谱解析化学状态,P-E回环计算剩余极化强度(Pr)。

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  • 生物材料实验方案

    1. 实验设计与方法选择:本研究采用多步表面修饰策略,包括通过1-十二烯热氢化硅烷化实现内表面疏水化、空气等离子体处理去除表层烷基链、APTES硅烷化进行外表面功能化、物理吸附法负载药物,以及通过旋涂RAFT聚合合成的聚(HPAm-co-BPAm)共聚物并进行紫外光交联实现聚合物接枝。 2. 样本选择与数据来源:多孔硅薄膜通过在HF/乙醇电解液中电化学阳极氧化p++硅片制备。样本包含不同聚合物厚度(0.5%、1%、2%重量比)的改性pSi薄膜及对照样本(如pSi-臭氧-APTES)。 3. 实验设备与材料清单:关键设备包括扫描电镜(Zeiss Merlin场发射扫描电镜)、X射线光电子能谱仪(Kratos AXIS Nova)、衰减全反射傅里叶变换红外光谱仪(Nicolet 6700)、共聚焦显微镜、椭偏仪(J.A. Woollam M-2000DI)、荧光计(珀金埃尔默LS55)、凝胶渗透色谱系统(岛津)、核磁共振波谱仪(布鲁克400 MHz),以及定制等离子体反应器和干涉仪。材料包括硅片(Siltronix)、化学品(Sigma-Aldrich)、自合成聚合物及生物试剂(如人血清白蛋白、纤连蛋白、L929细胞)。 4. 实验流程与操作步骤:pSi制备→1-十二烯热氢化硅烷化→空气等离子体处理→APTES硅烷化→CPT负载→聚合物旋涂与紫外光交联→表征(ATR-FTIR、水接触角、XPS、SEM、共聚焦显微镜)→PBS缓冲液中的药物释放研究→蛋白质吸附与细胞黏附实验。 5. 数据分析方法:使用CasaXPS软件分析XPS数据,OMNIC软件处理ATR-FTIR数据,干涉反射光谱采用定制算法;统计分析包括重复样本均值计算及显著性检验(如细胞计数p≤0.001)。

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厂家介绍

超过40年四极杆质谱仪的设计,开发和制造经验。 我们的四极质谱仪有多种配置,可用于气体/蒸汽分析、残余气体分析、等离子体离子分析、超高压表面科学、热分析和表面分析。Hiden质谱仪的配置质量范围为:100、200、300、510、1000、2500和5000 AMU,可分析较广泛的挥发性有机化合物、金属有机化合物和无机化合物。Hiden质谱仪控制软件在10年动态范围内提供快速实时数据采集。 我们的定制设计服务为客户提供交互式解决方案开发,以满足特定需求。

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