半导体激光器是通过半导体中电荷载流子对的辐射再结合产生的。与传统的激光系统相比,它们的效率更高,成本更低,所需的功率也更小,因此成为制造业、医药和能源领域的热门选择。

概述
参数
- 波长 / Wavelength : 808nm
- 类型 / Type : 巴条(裸片)
- 工作模式 / Operation Mode : QCW
- 电源转换效率 / Power Conversion Efficiency : 60%
- 发射器数量 / Number of Emitters : 34
详述
- 单片线性激光器阵列
- 高效可靠的MOVPE生长量子阱结构
- 34发射器(80%填充系数)设计
- 推荐光功率500 W(QCW)
- 典型转换效率60%
- 可焊接p-和n-侧金属化适用于引线键合的N侧金属化
- 可根据要求提供其他中心脉冲波长
规格书
厂家介绍
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