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下载规格书 光电晶体管是一种双极结晶体管（BJT），它将光电二极管和晶体管的概念结合在一起。
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L14U1概述
来自Light In Motion的L14U1是一款光电晶体管，集电极暗电流为100 nA，功耗为300至600 MW.有关L14U1的更多详细信息，
L14U1参数
- 输入功率（辐照度） / Input Power(Irradiance) : 0.2 mW/cm2
- 材料 / Material : Silicon
- 安装类型 / Mounting Type : Through-Hole
- 光电晶体管型 / Phototransistor Type : Photo Transistor
- RoHS / RoHs : Yes
- 集电极暗电流 / Collector-Dark Current : 100 nA
L14U1规格书
L14U1厂家介绍
Light In Motion Organization致力于设计、制造和供应专用于传感器行业的高质量、高可靠性的光学发射器和探测器组件和组件。请参阅我们的能力声明。Light In Motion的所有者将与飞利浦半导体（Philips Semiconductor）、GI Optoelectronics、QT Optoelectronics和飞兆半导体（Fairchild Semiconductor）合作50年的经验带到了这项业务中。我们拥有丰富的半导体、光学工程、制造技术、供应链和特定应用经验，所有客户都可以找到满足其传感器要求的标准、半定制或定制解决方案。
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图片名称分类制造商参数描述
- OP505D光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 935 nm
来自TT Electronics的OP505D是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.55 mA.有关OP505D的更多详细信息，请参见下文。
- OP555A光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 935 nm
来自TT Electronics的OP555A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流2.55 mA.有关OP555A的更多详情，请参见下文。
- OP598A光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 890 nm
来自TT Electronics的OP598A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）25 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流7.5 mA.有关OP598A的更多详情，请参见下文。
- LPT 80A光电晶体管OSRAM
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 450 to 1100 nm
欧司朗的LPT 80A是一种光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为1至50 nA，集电极发射极电压（饱和）为150 MV，发射极集电极电压（击穿）为7 V，功耗为100 MW.下面可以看到LPT 80A的更多细节。
- SFH 3710光电晶体管OSRAM
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 350 to 950 nm
来自OSRAM的SFH 3710是一种光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为5.5 V，集电极暗电流为3至50 nA，集电极发射极电压（饱和）为100 MV，发射极集电极电压（击穿）为0.5 V，波长（光谱灵敏度）为350至950 nm.有关SFH 3710的更多详细信息，请参阅下文。
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