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下载规格书 光电晶体管是一种双极结晶体管（BJT），它将光电二极管和晶体管的概念结合在一起。
全部产品分类
概述
Ushio Inc.的PT010-33是一种光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为10 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.3 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为10 mA.有关PT010-33的更多详细信息，
参数
- 材料 / Material : Clear Epoxy Resin
- 安装类型 / Mounting Type : Chip, Leaded
- 光电晶体管型 / Phototransistor Type : Phototransistor
- RoHS / RoHs : Yes
- 集电极发射极电压（击穿） / Collector Emitter Voltage (Breakdown) : 10 V
- 集电极暗电流 / Collector-Dark Current : 100 nA
- 发射极集电极电压（击穿） / Emitter Collector Voltage(Breakdown) : 5 V
- 导通状态集电极电流 / On-State Collector Current : 10 mA
- 波长（光谱灵敏度） / Wavelength(Spectral Sensitivity) : 900 nm
规格书
厂家介绍
Ushio Inc.利用独特的激光技术和制造专业知识，提供主要用于IT行业的光学设备，如激光二极管和发光二极管。我们的产品系列涵盖广泛，包括用于高端多功能办公打印机的高功率红色多光束激光二极管、用于医疗和测量应用的红色激光二极管、用于曝光设备的紫色激光二极管，用于显示器的高功率红色激光二极管，以及用于光学编码器的红外发射二极管。我们将继续积极为IT行业开发和商业化领先的半导体激光器。
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图片名称分类制造商参数描述
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- TEMT7100ITX01光电晶体管Vishay Intertechnology
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 750 to 1010 nm
Vishay Intertechnology的TEMT7100ITX01是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为20 V，发射极集电极电压（击穿）为7 V，功耗为100 MW，波长（光谱灵敏度）为750至1010 nm.有关TEMT7100ITX01的更多详细信息，请参阅下文。
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材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 935 nm
TT Electronics的OP505W是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.1 mA.有关OP505W的更多详细信息，请参阅下文。
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SunLED的XZrNi56W-1是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.8 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.有关XZrNi56W-1的更多详细信息，请参见下文。
- L-7113P3C光电晶体管kingbrightusa
材料: Silicon
来自KingbrightUSA的L-7113P3C是一种光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.8 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为0.5至2.5 mA.有关L-7113P3C的更多详细信息，请参阅下文。
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