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下载规格书 激光二极管技术（Laser Diode Technology）
最近，激光二极管的商业和工业应用急剧增加。激光二极管的光学特性、小尺寸和坚固性使得许多新用途得以商业化。
全部产品分类
概述
来自Teradian的TAF330X是波长为1280、1310、1340 nm的激光二极管，输出功率为3 MW，输出功率为3 MW，工作电流为40 mA.有关TAF330X的更多详细信息，
参数
- 技术 / Technology : Fabry-Perot (FP)
- 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
- 输出功率 / Output Power : 3 mW
- 工作电流 / Operating Current : 40 mA
- 阈值电流 / Threshold Current : 7 to 15 mA
- 激光增益介质 / Laser Gain Medium : InGaAsP
- 类型 / Type : Fiber-Coupled Laser Diode
规格书
厂家介绍
Teradian Inc.是一家成立于2001年2月的风险企业，主要由韩国较早将光纤模块商业化的研究人员创立，基于这些光纤模块的开发和生产经验，Teradian开发和生产拥有自主知识产权的各种器件和模块产品，主要用于数字和模拟光通信和传感领域。
相关产品
图片名称分类制造商参数描述
- FDL-850-2W-TAL半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 2000mW
GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近2000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA（主振荡器功率放大器）。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层，以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。
- Seminex High Power Multi-Mode Laser Diode 1550nm 0.45W半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 450mW
Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时，我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计，以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试，以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。
- SemiNex High Power Multi-Mode Laser Diodes on C-Mount 1540nm 4.2W半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 4200mW
Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时，我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计，以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试，以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。
- PulseLife CW 3-Bar Arrays半导体激光器Coherent Inc.
波长: 808 nm输出功率: 40 to 150 W
来自Coherent Inc.的PulseLife CW 3-bar阵列是一种激光二极管，波长为808 nm，输出功率为40至150 W，工作电压为6至7 V，工作电流为45至55 A.PulseLife CW 3-bar阵列的更多详细信息见下文。
- RLT1550-30G半导体激光器Roithner Lasertechnik
波长: 1520 to 1580 nm输出功率: 0.03 W
Roithner Lasertechnik公司的RLT1550-30G是波长为1520至1580 nm的激光二极管，输出功率为0.03 W，工作电压为2 V，工作电流为0至0.16 A，阈值电流为30至55 mA.有关RLT1550-30G的更多详细信息，请参阅下文。
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