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QL94R6S-A/B/C 半导体激光器

精品

QL94R6S-A/B/C

分类：半导体激光器

厂家： QSI(Quantum Semiconductor International)

产地：韩国

型号： QL94R6S-A/B/C

更新时间： 2024-07-13 12:56:13

标签：

激光二极管传感器 InGaAs 940nm 工业光学模块

简介：

MOCVD grown 940 nm band InGaAs laser diode with quantum well structure

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概述

来自Quantum Semiconductor International的QL94R6S-A/B/C是波长为930至950 nm、输出功率为200 MW、工作电压为1.8至2.4 V、工作电流为270至320 mA的激光二极管。有关QL94R6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

参数

技术 / Technology : Quantum Well
激光增益介质 / Laser Gain Medium : InGaAs Lasers

应用

1. 工业光学模块 2. 传感器

特征

1. 可见光输出: λp = 940 nm 2. 光功率输出: 200mW CW 3. 封装类型: TO-18 (5.6mmφ) 4. 内置光电二极管用于监控激光二极管

详述

QL94R6S-A/B/C 是一款由Quantum Semiconductor International Co., Ltd. 生产的高性能激光二极管。它采用MOCVD生长技术，具有量子阱结构，主要工作在940nm波段。该激光二极管的典型光输出功率为200mW，适用于工业光学模块和传感器应用。其特点包括可见光输出、内置光电二极管用于监控、以及TO-18封装类型。QL94R6S-A/B/C 的参数表现优异，工作电流范围在270至320mA之间，工作电压为1.8至2.4V，激光波长在930至950nm之间。此产品在工业应用中具有广泛的前景，适合需要高效光源的各种场景。

图片集

QL94R6S-A/B/C图1

QL94R6S-A/B/C图2

QL94R6S-A/B/C图3

QL94R6S-A/B/C图4

QL94R6S-A/B/C图5

QL94R6S-A/B/C图6

QL94R6S-A/B/C图7

QL94R6S-A/B/C图8

QL94R6S-A/B/C图9

QL94R6S-A/B/C图10

QL94R6S-A/B/C图11

QL94R6S-A/B/C图12

QL94R6S-A/B/C图13

规格书

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厂家介绍

凭借在开发新型光子器件方面的卓越能力，QSI公司致力于成为世界一流的激光二极管专业公司。

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