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QL63F5S-A/B/C

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更新时间:2023-02-07 16:00:24

型号: QL63F5S-A/B/CMOCVD grown 635 nm band InGaAlP laser diode with quantum well structure

概述

来自Quantum Semiconductor International的QL63F5S-A/B/C是波长为637至645 nm、输出功率为10 MW、工作电压为2.2至2.5 V、工作电流为44至55 mA的激光二极管。有关QL63F5S-A/B/C的更多详细信息,

参数

  • 技术 / Technology : Quantum Well
  • 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
  • 波长 / Wavelength : 637 to 645 nm
  • 输出功率 / Output Power : 10 mW
  • 工作电压 / Operating Voltage : 2.2 to 2.5 V
  • 工作电流 / Operating Current : 44 to 55 mA
  • 阈值电流 / Threshold Current : 27 to 35 mA
  • 激光增益介质 / Laser Gain Medium : InGaAlP Lasers
  • 激光颜色 / Laser Color : Red
  • 类型 / Type : Free Space Laser Diode

图片集

QL63F5S-A/B/C图1
QL63F5S-A/B/C图2
QL63F5S-A/B/C图3
QL63F5S-A/B/C图4
QL63F5S-A/B/C图5
QL63F5S-A/B/C图6

规格书

厂家介绍

凭借在开发新型光子器件方面的卓越能力,QSI公司致力于成为世界一流的激光二极管专业公司。

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