由于成熟的硅工艺技术、大尺寸硅片和硅的光学特性，硅（Si）光子学最近已成为许多应用领域的关键使能技术。然而，由于硅基材料无法有效发光，因此需要使用其他半导体作为光源。
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QL63D4S-A/B/C-N
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获取报价 收藏 下载规格书 更新时间：2024-02-07 10:37:59
型号: QL63D4S-A/B/C-NMOCVD grown 635 nm band InGaAlP laser diode with quantum well structure
参数
- 技术 / Technology : Quantum Well
- 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
- 波长 / Wavelength : 630 to 640 nm
- 输出功率 / Output Power : 5 mW
- 工作电压 / Operating Voltage : 2.2 to 2.7 V
- 工作电流 / Operating Current : 32 to 45 mA
- 阈值电流 / Threshold Current : 23 to 35 mA
- 激光增益介质 / Laser Gain Medium : InGaAlP Lasers
- 激光颜色 / Laser Color : Red
- 类型 / Type : Free Space Laser Diode
- 光输出功率 / Optical Output Power : 5mW
- 激光二极管反向电压 / Laser Diode Reverse Voltage : 2V
- 光电二极管反向电压 / Photo Diode Reverse Voltage : 30V
- 工作温度 / Operating Temperature : -10~+40°C
- 储存温度 / Storage Temperature : -40~+85°C
- 阈值电流 / Threshold Current : 23-35mA
- 工作电流 / Operating Current : 32-45mA
- 工作电压 / Operating Voltage : 2.2-2.7V
- 激射波长 / Lasing Wavelength : 630-640nm
- 束发散角（平行） / Beam Divergence (Parallel) : 6-12deg
- 束发散角（垂直） / Beam Divergence (Perpendicular) : 28-40deg
- 束角（平行） / Beam Angle (Parallel) : ±2.0deg
- 束角（垂直） / Beam Angle (Perpendicular) : ±3.0deg
- 监视电流 / Monitor Current : 0.05-0.4mA
- 光学距离 / Optical Distance : ±60µm
应用
1.激光指示器
2.条形码阅读器
3.激光模块
特征
1.可见光输出：λp=635nm
2.光输出功率：5mW CW
3.封装类型：TO-18 (5.6mmφ)
4.内置光电二极管用于监控激光二极管
图片集
规格书
厂家介绍
凭借在开发新型光子器件方面的卓越能力，QSI公司致力于成为世界一流的激光二极管专业公司。
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图片名称分类制造商参数描述
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